[发明专利]阵列基板及其制作方法和驱动方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括衬底基板、设置于所述衬底基板上的多条栅线和多条数据线，其中，

所述栅线和所述数据线限定多个呈阵列分布的像素单元；

每个像素单元包括公共电极、像素电极以及薄膜晶体管；

所述公共电极所在的层远离所述衬底基板的一侧设有第一绝缘层；

所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的一侧设有多个自电容电极；

其中，

当所述自电容电极位于所述像素电极所在的层背离所述衬底基板的一侧时，或者当所述自电容电极与所述像素电极并排位于同一膜层上时，所述自电容电极上设有保护层，并且，所述保护层与所述像素电极采用相同材料同时形成。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其中，

所述自电容电极位于所述公共电极所在的层与所述像素电极所在的层之间，或者所述自电容电极位于所述像素电极所在的层背离所述衬底基板的一侧，或者所述自电容电极与所述像素电极并排位于同一膜层上。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其中，

每个自电容电极包括至少一个沿第一方向延伸的第一延伸部和/或至少一个沿第二方向延伸的第二延伸部，所述第一方向与所述第二方向交叉。

4.如权利要求2所述的阵列基板，其中，

每个自电容电极包括至少一个沿第一方向延伸的第一延伸部和/或至少一个沿第二方向延伸的第二延伸部，所述第一方向与所述第二方向交叉。

5.如权利要求3所述的阵列基板，其中，每个第一延伸部在垂直于所述衬底基板的方向上与所述栅线之一重叠，每个第二延伸部在垂直于所述衬底基板的方向上与所述数据线之一重叠。

6.如权利要求4所述的阵列基板，其中，

所述公共电极在对应每个自电容电极的部分或全部所述第一延伸部和第二延伸部的位置处设有镂空区域。

7.如权利要求5所述的阵列基板，其中，

所述公共电极在对应每个自电容电极的部分或全部所述第一延伸部和第二延伸部的位置处设有镂空区域。

8.如权利要求1-7任一项所述的阵列基板，其中，

每个自电容电极与一条导线电连接，所述导线用于将所述自电容电极的信号导出；

所述自电容电极与所述导线异层设置，所述自电容电极所在的层以及所述导线之间设有第二绝缘层，所述自电容电极与所述导线通过过孔电连接。

9.如权利要求8所述的阵列基板，其中，所述自电容电极与至少一条与其他自电容电极电连接的导线重叠并且在二者之间的所述第二绝缘层中设有凹陷部，所述凹陷部的深度小于所述第二绝缘层的厚度。

10.如权利要求8所述的阵列基板，其中，所述公共电极在对应所述过孔的位置设有开口，所述过孔通过所述开口。

11.如权利要求9所述的阵列基板，其中，所述公共电极在对应所述过孔的位置设有开口，所述过孔通过所述开口。

12.如权利要求10所述的阵列基板，其中，所述薄膜晶体管包括第一电极，所述导线与所述第一电极同层设置。

13.如权利要求11所述的阵列基板，其中，

所述薄膜晶体管还包括第二电极，所述自电容电极与所述导线通过与所述第二电极同层设置的导电块电连接。

14.如权利要求10-12任一项所述阵列基板，其中，所述公共电极所在的层与所述薄膜晶体管之间设有第三绝缘层，所述第二绝缘层包括所述第三绝缘层。

15.如权利要求14所述的阵列基板，其中，所述薄膜晶体管包括栅绝缘层，所述第二绝缘层还包括所述栅绝缘层。

16.如权利要求10所述的阵列基板，其中，每相邻的两行像素单元形成一个像素单元组，所述相邻的两行像素单元之间设有两条栅线，所述导线设置在相邻的所述像素单元组之间的间隙处。

17.如权利要求6所述的阵列基板，其中，所述公共电极所在的层与所述薄膜晶体管之间设有第三绝缘层。

18.如权利要求1-6任一项所述的阵列基板，其中，

每个自电容电极与一条导线电连接，所述导线用于将所述自电容电极的信号导出；所述自电容电极与所述导线同层设置。