[发明专利]多壁碳纳米管桥联的3D石墨烯导电网络及其制备方法在审
| 申请号： | 201510053820.1 | 申请日： | 2015-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN104730121A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 张树鹏;高娟娟;宋海欧;刘茂祥;宋欣;太玉;钱悦月 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | G01N27/26 | 分类号： | G01N27/26;B82Y30/00;B82Y40/00;B82Y5/00 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 邹伟红;朱显国 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多壁碳 纳米 管桥联 石墨 导电 网络 及其 制备 方法 | ||
1.一种多壁碳纳米管桥联的3D石墨烯导电网络，其特征在于，其结构通式如下：
2.如权利要求1所述的多壁碳纳米管桥联的3D石墨烯导电网络，其特征在于，所述3D石墨烯导电网络通过以下步骤制备：
步骤1、以天然鳞片石墨粉制备氧化石墨固体；
步骤2、超声制备氧化石墨烯DMF悬浮液；
步骤3、制备CDs功能化的氧化石墨烯GO-CDs；
步骤4、分别制备GO-CDs的DMF悬浮液和羧基化的碳纳米管的DMF悬浮液；
步骤5、将步骤4的两种悬浮液混合后，加入还原剂于50～80℃下搅拌反应；
步骤6、减压过滤、洗涤、干燥后即得到多壁碳纳米管桥联的3D石墨烯导电网络。
3.如权利要求2所述的多壁碳纳米管桥联的3D石墨烯导电网络，其特征在于，步骤1中所述的氧化石墨固体采用改进后的Hummers方法制备。
4.如权利要求2所述的多壁碳纳米管桥联的3D石墨烯导电网络，其特征在于，步骤4中所述的GO-CDs与DMF的比例为(1：10～5：1)mg/mL；羧基化的碳纳米管与DMF的比例为(1：10～5：1)mg/mL；，超声时间为1～10h。
5.如权利要求2所述的多壁碳纳米管桥联的3D石墨烯导电网络，其特征在于，步骤5中所述的还原剂为水合肼和氨水的混合物，GO-CDs与水合肼的比例为(5：1～1：10)mg/μL；氨水与水合肼的体积比为5:1～20：1；其中，氨水浓度为25-28wt％，搅拌反应时间为1～24h。
6.一种多壁碳纳米管桥联的3D石墨烯导电网络的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、以天然鳞片石墨粉制备氧化石墨固体；
步骤2、超声制备氧化石墨烯DMF悬浮液；
步骤3、制备CDs功能化的氧化石墨烯GO-CDs；
步骤4、分别制备GO-CDs的DMF悬浮液和羧基化的碳纳米管的DMF悬浮液；
步骤5、将步骤4的两种悬浮液混合后，加入还原剂于50～80℃下搅拌反应；
步骤6、减压过滤、洗涤、干燥后即得到多壁碳纳米管桥联的3D石墨烯导电网络。
7.如权利要求6所述的多壁碳纳米管桥联的3D石墨烯导电网络的制备方法，其特征在于，步骤1中所述的氧化石墨固体采用改进后的Hummers方法制备。
8.如权利要求6所述的多壁碳纳米管桥联的3D石墨烯导电网络的制备方法，其特征在于，步骤4中所述的GO-CDs与DMF的比例为(1：10～5：1)mg/mL；羧基化的碳纳米管与DMF的比例为(1：10～5：1)mg/mL；，超声时间为1～10h。
9.如权利要求6所述的多壁碳纳米管桥联的3D石墨烯导电网络的制备方法，其特征在于，步骤5中所述的还原剂为水合肼和氨水的混合物，GO-CDs与水合肼的比例为(5：1～1：10)mg/μL；氨水与水合肼的体积比为5:1～20：1；其中，氨水浓度为25-28wt％，搅拌反应时间为1～24h。
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