[发明专利]一种阵列基板及液晶显示面板有效
申请号: | 201510054837.9 | 申请日: | 2015-02-02 |
公开(公告)号: | CN104614908B | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 高冬子 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L23/50 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 液晶显示 面板 | ||
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种阵列基板及液晶显示面板。
【背景技术】
在TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,超薄膜晶体管液晶显示器)行业中,像素会用到不同金属之间形成的电容来维持像素显示及防止色偏,当用到同一层金属来制作电容的时候,因为同一层金属在同一层别上,因此,很容易受到粒子(particle)的影响而导致短路的发生。
请参阅图1,为现有技术提供的阵列基板的结构示意图。所述阵列基板包括一基板10,以及依次设置于所述基板10表面上的第一金属层20、第一绝缘层30、第二金属层40、第二绝缘层50以及像素电极层60,其中,像素电极层60中的像素电极与相对的基板上的共通电极作为像素电容,像素电极层60中的公共电极与所述第一金属层20或所述第二金属层40上的公共线作为存储电容。像素电极层60由ITO(Indium Tin Oxide,掺锡氧化铟)制成。可知,ITO具有像素电容和存储电容的作用,形成电容的目的是为了显示的时候,将主像素(main pixel)和子像素(sub pixel)的电荷分配的不一致,从而起到低色偏的作用。但这种设计因为ITO位于同一层,在所述像素电极层60中的所述像素电极与所述公共电极之间具有间隙,因此粒子很容易落到间隙中,从而导致电容ITO和像素ITO短路在一起,从而造成电容失去功效,最终导致显示器出现异常,降低了产品的品质。
故,有必要提出一种新的技术方案,以解决上述技术问题。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种阵列基板及液晶显示面板,其能有效避免由于粒子的影响而导致发生短路的问题,提高了产品的品质。
为解决上述问题,本发明的技术方案如下:
一种阵列基板,所述阵列基板包括:
一基板;
一第一金属层,所述第一金属层设置于所述基板表面上;所述第一金属层包括薄膜晶体管的栅极和扫描线;
一第一绝缘层,所述第一绝缘层设置于所述第一金属层上,用于隔离所述第一金属层和第二金属层;
一所述第二金属层,所述第二金属层设置于所述第一绝缘层上;所述第二金属层包括薄膜晶体管的源极、薄膜晶体管的漏极以及数据线;
一第二绝缘层,所述第二绝缘层设置于所述第二金属层上,用于隔离所述第二金属层和像素电极层;
一凸起,所述凸起设置于所述第二绝缘层上;
一所述像素电极层,所述像素电极层设置于所述第二绝缘层上;所述像素电极层包括像素电极和公共电极;
其中,所述凸起位于所述像素电极与所述公共电极之间,所述凸起用于隔离所述像素电极和公共电极。
优选的,在所述阵列基板中,对应所述凸起位置处的所述第二绝缘层的厚度大于非凸起位置处的所述第二绝缘层的厚度。
优选的,在所述阵列基板中,对应所述凸起位置处的所述第二金属层的厚度大于非凸起位置处的所述第二金属层的厚度。
优选的,在所述阵列基板中,所述第一金属层还包括公共线;所述像素电极与相对的基板上的共通电极作为像素电容,所述公共电极与所述第一金属层上的所述公共线作为存储电容。
优选的,在所述阵列基板中,所述第二金属层还包括公共线;所述像素电极与相对的基板上的共通电极作为像素电容,所述公共电极与所述第二金属层上的所述公共线作为存储电容。
一种液晶显示面板,包括阵列基板、彩膜基板、以及设置于所述阵列基板与彩膜基板之间的液晶盒;其中,
所述阵列基板包括:
一基板;
一第一金属层,所述第一金属层设置于所述基板表面上;所述第一金属层包括薄膜晶体管的栅极和扫描线;
一第一绝缘层,所述第一绝缘层设置于所述第一金属层上,用于隔离所述第一金属层和第二金属层;
一所述第二金属层,所述第二金属层设置于所述第一绝缘层上;所述第二金属层包括薄膜晶体管的源极、薄膜晶体管的漏极以及数据线;
一第二绝缘层,所述第二绝缘层设置于所述第二金属层上,用于隔离所述第二金属层和像素电极层;
一凸起,所述凸起设置于所述第二绝缘层上;
一所述像素电极层,所述像素电极层设置于所述第二绝缘层上;所述像素电极层包括像素电极和公共电极;
其中,所述凸起位于所述像素电极与所述公共电极之间,所述凸起用于隔离所述像素电极和公共电极。
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