[发明专利]静电容量型压力传感器、压力检测器及输入装置

权利要求书

1.一种静电容量型压力传感器，其特征在于，具有：

P型或N型的半导体基板；

电介体层，其在上面或下面的一方具有凹部，并覆盖所述半导体基板的上面；

上基板，其设置于所述电介体层之上；

隔膜，其形成于所述上基板的与所述凹部相对的区域，并可变形；

固定电极，其设置于所述半导体基板；

反极性层，其在所述半导体基板的表层部，形成于所述上基板的被固定的区域的下方，由具有与所述半导体基板反极性的导电型的杂质层构成。

2.如权利要求1所述的静电容量型压力传感器，其特征在于，

所述反极性层的宽度或与所述上基板的被固定的区域的宽度相等，或比所述上基板的被固定的区域的宽度宽。

3.如权利要求2所述的静电容量型压力传感器，其特征在于，

从垂直于所述半导体基板的上面的方向观察时，所述反极性层的宽度方向的两侧缘部都与所述上基板的被固定的区域的缘部重叠，或位于所述上基板的被固定的区域的缘部的外侧。

4.如权利要求1所述的静电容量型压力传感器，其特征在于，

所述固定电极由形成于所述半导体基板的表层部的、具有与所述半导体基板反极性的导电型的杂质层构成，

所述固定电极和所述反极性层分离而形成。

5.如权利要求4所述的静电容量型压力传感器，其特征在于，

所述反极性层和所述固定电极相互以相同的深度形成。

6.如权利要求4所述的静电容量型压力传感器，其特征在于，

所述反极性层和所述固定电极相互具有相同的杂质浓度。

7.如权利要求4所述的静电容量型压力传感器，其特征在于，

所述反极性层的一部分不连续地形成，

从所述固定电极延伸的电极延伸部通过变为所述反极性层的不连续的区域。

8.如权利要求4所述的静电容量型压力传感器，其特征在于，

在所述反极性层和所述固定电极的中间，在所述半导体基板的上面设有分离槽。

9.如权利要求4所述的静电容量型压力传感器，其特征在于，

在所述半导体基板的上面，在所述上基板的被固定的区域的下方形成凹槽，在所述凹槽的底面之下设有所述反极性层。

10.一种压力检测器，将权利要求1所述的静电容量型压力传感器收纳在盒内。

11.一种输入装置，搭载有权利要求1所述的静电容量型压力传感器。