[发明专利]磁屏蔽装置在审
申请号: | 201510055848.9 | 申请日: | 2015-02-03 |
公开(公告)号: | CN104640426A | 公开(公告)日: | 2015-05-20 |
发明(设计)人: | 高琦 | 申请(专利权)人: | 北京原力辰超导技术有限公司 |
主分类号: | H05K9/00 | 分类号: | H05K9/00 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李相雨 |
地址: | 100084 北京市海淀区农大南*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 屏蔽 装置 | ||
技术领域
本发明涉及电工学技术领域,尤其涉及一种磁屏蔽装置。
背景技术
磁场屏蔽是许多精密测量科学的通用保障性技术,在一些极端测量环境比如高精密原子钟,电子束成像装置,陀螺仪,质谱仪,中微子探测中具有广泛引用。在这些应用环境中,对于微弱的地磁场都必须尽量抑制,通常地磁场需要被抑制3-6个数量级。
超导材料具有很好的抗磁特性,原理上使用超导材料制作的磁屏蔽装置可以达到非常好的抗磁效果。但是在实际应用中,由于工艺条件和使用环境的限制,超导材料的性能有限,利用超导材料所制作的磁屏蔽装置屏蔽效果并不理想。
发明内容
本发明的目的是提升磁屏蔽装置的屏蔽能力。
为了达到上述目的,本发明提供了一种新型磁屏蔽装置,该装置包括:包括磁屏蔽壳体,所述磁屏蔽壳体包括超导屏蔽层以及位于所述超导屏蔽层外侧的增强屏蔽层,所述增强屏蔽层由包含高磁导率合金材料的材料制作。
进一步的,所述磁屏蔽壳体为筒状。
进一步的,筒状磁屏蔽壳体还包括支撑筒,所述超导屏蔽层和所述增强屏蔽层包括环绕在所述支撑筒外侧的环形部分。
进一步的,所述超导屏蔽的环形部分由超导带在所述支撑筒上环绕形成;和/或,
所述增强屏蔽层的环形部分高磁导率合金材料带在所述支撑筒上环绕形成。
进一步的,环绕在所述支撑筒上的带材包括缠绕在所述支撑筒上的第一部分和沿轴向贴附在支撑筒上的第二部分。
进一步的,所述第一部分缠绕在第二部分的外侧。
进一步的,所述支撑筒为圆形,所述超导屏蔽层和所述增强屏蔽层的环形部分同轴环绕在圆形支撑筒的外侧。
进一步的,所述支撑筒的筒壁中设置有真空夹层。
进一步的,筒状磁屏蔽壳体还包括圆形金属筒,所述超导屏蔽层涂覆在所述圆形金属筒上,所述增强屏蔽层包括环绕在所述超导屏蔽层的外侧且与所述圆形金属筒同轴的环形部分。
进一步的,所述超导屏蔽层为由超导材料制作的圆形筒状结构,所述增强屏蔽层包括环绕在所述圆形筒状结构的外侧且与所述圆形筒状结构同轴的环形部分。
进一步的,筒状磁屏蔽壳体包括盖体,所述盖体位于所述长筒状磁屏蔽壳体的端部,用于屏蔽轴向上的磁场。
进一步的,筒状磁屏蔽壳体的数目为两个,其中第一筒状磁屏蔽壳体位于第二个筒状磁屏蔽壳体形成的腔体内,且第一筒状磁屏蔽壳体的轴向与第二第二个筒状磁屏蔽壳体的轴向垂直。
进一步的,还包括:设置在磁屏蔽壳体上的导线过孔。
进一步的,所述磁屏蔽壳体还包括位于所述增强屏蔽层外侧的制冷层;所述制冷层为具有真空夹层的无磁不锈钢结构。
进一步的,所述超导屏蔽层由钇系YBCO、铋系BSCCO和NbTi合金中的一种或多种制作。
进一步的,所述磁屏蔽壳体包括至少两个屏蔽层组合,每一个超导屏蔽层组合包括一层超导屏蔽层以及位于所述超导屏蔽层外侧的增强屏蔽层。
本发明提供的磁屏蔽装置中,在超导屏蔽层之外还设置一层由包含高磁导率合金材料的材料制作的增强屏蔽层。本发明提供的磁屏蔽装置与现有技术中的磁屏蔽装置相比,屏蔽能力大幅提升。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的一种磁屏蔽装置的正视图;
图2为图1中的结构100的俯视图;
图3为图1中的结构100的正视图;
图4a-图4c为图1中的结构120的可选结构的正视图;
图5为本发明实施例一提供的一种优选的磁屏蔽装置的侧视图;
图6为图1中的结构200的一种可选结构的俯视图;
图7为图1中的结构220的一种可选结构的正视图;
图8为本发明实施例二提供的一种磁屏蔽装置的侧视图;
图9为本发明实施例三提供的一种磁屏蔽装置的侧视图;
图10为本发明实施例四提供的一种磁屏蔽装置的俯视图;
图11为本发明实施例五提供的一种磁屏蔽装置中结构100的正视图。
主要元件符号说明
100 主腔体
200 盖体
300 被保护元器件
400 基座
110 支撑筒
210 支撑板
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