[发明专利]一种深部金矿阶梯式找矿方法有效

专利信息
申请号: 201510056575.X 申请日: 2015-02-04
公开(公告)号: CN104597519B 公开(公告)日: 2017-11-10
发明(设计)人: 宋明春;曹春国;崔书学;徐军祥;张丕建;焦秀美;胡弘;李世勇;曹佳;宋英昕 申请(专利权)人: 山东省物化探勘查院
主分类号: G01V11/00 分类号: G01V11/00
代理公司: 济南诚智商标专利事务所有限公司37105 代理人: 韩百翠
地址: 250013*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 金矿 阶梯 式找矿 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及深部找矿技术领域,具体是一种深部金矿阶梯式找矿方法。

背景技术

随着我国社会经济的快速发展,地下浅、表部矿产资源已大量消耗,深部找矿成为提供资源保障的必然选择。由于地下深部矿产资源埋藏深度大,在地表观察不到直接的找矿线索,因此找矿难度非常大。李惠等人的“构造叠加晕找盲矿法及研究方法”(《地质与勘探》,2013年01期)主要是采用地球化学方法找深部矿和盲矿,其它深部金属矿找矿方法和危机矿山深部找矿方法,主要采用就矿找矿思路和多种地球物理联合方法,目前深部找矿尚处于探索和发展阶段,没有非常成熟的方法技术。采用已往的常规方法找矿,澳大利亚澳华金田公司于本世纪初在胶东地区开展了5年多工作,没有找到矿;国内其他勘查单位于上世纪末至本世纪初在胶东地区进行深部找矿探索,没有找到大的金矿。

发明内容

本发明的目的在于提供一种深部金矿阶梯式找矿方法,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:

一种深部金矿阶梯式找矿方法,包括以下步骤:

(1)通过详细的野外地质调查,在主要成矿断裂上筛选有利成矿区域,作为深部找矿探测的靶区;

(2)在选定的区域内,按照一定的距离,垂直断裂构造布设地球物理测线,沿测线开展高精度地球物理探测,获取每一测点的探测数据,形成不同深度、不同位置的三维数据集;

(3)对通过步骤(2)中获取的地球物理数据进行计算机处理,形成数据等值线图,主要包括:可控源音频大地电磁测深断面等值线图、频谱激电复电阻率参数断面等值线图、充电率参数断面等值线图、时间常数参数断面等值线图、大地电磁测深视电阻率剖面图、高精度重力剖面图、高精度磁测剖面图;

(4)通过与已知浅部金矿、控矿构造特征比较,反演模拟,建立深部金矿地质-地球物理找矿模型;

(5)根据深部金矿阶梯式成矿模式和地质-地球物理找矿模型,判别控矿断裂深部倾角阶梯式变化部位,圈定深部金矿位置、形态和规模。

作为本发明进一步的方案:步骤(1)中所述深部探测靶区的选择包括如下标志:

(1)产状有明显变化的较大规模成矿断裂带;

(2)断裂带的浅部有明显的矿化蚀变现象,沿断裂带有金矿床产出;

(3)断裂带位于不同地质体的接触界面,沿断裂带有地球物理和地球化学异常分布

作为本发明再进一步的方案:步骤(2)中所述高精度地球物理探测的仪器、方法和获取的数据参数包括如下:

(1)采用V8多功能电法仪,进行可控源大地音频电磁测深、大地电磁测深、频谱激电测量,获取电场强度、磁场强度、电阻率、充电率、时间场常数、频率相关系数;

(2)采用GSM-19T质子磁力仪、WCZ-1质子磁力仪,进行高精度磁测,获取地磁总场值、剩余磁场值;

(3)采用CG-5重力仪,进行高精度重力测量,获取布格重力异常值。

作为本发明再进一步的方案:步骤(2)中所述高精度地球物理探测的测线间距和测线布设原则如下:

(1)所述可控源大地音频电磁测深和所述频谱激电测量的测线间距为50~100m,每条测线上的测点间距为20~50m;所述大地电磁测深的测线间距为100~500m,测点间距为50~100m;所述高精度磁测的测线间距为100~500m,测点间距为20~40m;所述高精度重力测量的测线间距为100~500m,测点间距为50~100m;

(2)所述测线布设原则包括如下:测线方位为垂直控矿构造走向;测线数量,所述可控源大地音频电磁测深和所述频谱激电测量按照最小规模矿体不低于3条剖面、不少于3个物理点的原则布设,所述大地电磁测深按照可控源大地音频电磁测深的线距和点距的2~5倍布设,所述高精度磁测的线距和点距按照控制构造位置误差不大于10~20m的原则布设;所述高精度重力测量测点间距在所述高精度磁测基础上放稀2~3倍。

作为本发明再进一步的方案:步骤4中所述深部金矿地质-地球物理找矿模型包括如下内容:

(1)在所述可控源音频大地电磁测深断面等值线图上,所述成矿断裂带位于视电阻率等值线由低到高的过渡梯级带上,等值线同步向下弯曲、间距变大及由陡变缓部位为成矿有利部位;

(2)在所述频谱激电复电阻率参数断面等值线图上,复电阻率值越低反映矿化程度愈强烈,等值线弯曲、低阻带局部膨大部位为成矿有利部位;

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