[发明专利]一种复合沟道MHEMT微波振荡器及其制备方法有效
申请号: | 201510057805.4 | 申请日: | 2015-02-04 |
公开(公告)号: | CN104637941B | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 李海鸥;吉宪;李琦;李跃;黄伟;马磊;首照宇;吴笑峰;李思敏 | 申请(专利权)人: | 桂林电子科技大学 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04 |
代理公司: | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司45107 | 代理人: | 陈跃琳 |
地址: | 541004 广*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 复合 沟道 mhemt 微波 振荡器 及其 制备 方法 | ||
1.一种复合沟道MHEMT微波振荡器的制备方法,其特征是,包括步骤如下:
步骤1,在衬底层上依次外延生长渐变缓冲层、缓存层、第二沟道层、一沟道层、隔离层、势垒层、刻蚀停止层、第一帽层和第二帽层,形成样品的外延台面;
步骤2,匀胶光刻保护外延台面;采用离子注入机进行离子注入,使得沟道区域形成隔离;利用腐蚀液腐蚀第一帽层和第二帽层,隔离表层漏电,形成样品的隔离台面;
步骤3,匀胶光刻保护隔离台面;采用电子束蒸发台蒸发源金属和漏金属,形成样品的源漏欧姆接触;
步骤4,对样品采用3层电子束光刻胶,两次曝光,一次显影工艺后形成T型栅结构,并作为样品的栅槽腐蚀掩膜层;
步骤5,利用腐蚀液腐蚀刻蚀停止层、第一帽层和第二帽层,形成样品的栅槽;
步骤6,利用电子束蒸发台生长栅金属,之后进行快速退火使栅金属与势垒层充分接触形成埋栅,剥离后形成样品的T型金属栅;
步骤7,在样品上生长钝化层,利用反应离子刻蚀器件测试窗口,最终完成器件的制备。
2.根据权利要求1所述的一种复合沟道MHEMT微波振荡器的制备方法,其特征是,步骤2、3、4和7中,在每次光刻之前都需要对样品进行HMDS表面预处理过程。
3.根据权利要求1所述的一种复合沟道MHEMT微波振荡器的制备方法,其特征是,步骤2中,所述腐蚀液为柠檬酸与双氧水混合溶液,且C6H8O7:H2O2=1:1;步骤5中,所述腐蚀液为稀盐、磷酸和冰乙酸混合溶液,且HCl:H3PO4:CH3COOH:H2O=1:1:2:2。
4.根据权利要求1所述的一种复合沟道MHEMT微波振荡器的制备方法,其特征是,步骤3中,源金属和漏金属各由Ni、AuGe、Ni和Au自下而上叠加而成;步骤6中,栅金属由Pt、Ti、Pt和Au自下而上叠加而成。
5.根据权利要求1所述的一种复合沟道MHEMT微波振荡器的制备方法,其特征是,步骤4中,3层电子束光刻自下而上胶依次为PMMA4、MMA-EL9和PMMA2。
6.根据权利要求1所述的一种复合沟道MHEMT微波振荡器的制备方法,其特征是,步骤6中,在氮气中进行退火,其温度为300℃,时间为30秒。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的