[发明专利]铝碳化硅制备方法、所得铝碳化硅及电子元器件封装底板

权利要求书

1.一种铝碳化硅的制备方法，包括填粉和渗铝，其特征在于，所述填粉步骤包括：

将粉料填充至铝基板的凹槽中，形成粉料板；

在所述粉料板的表面铺设厚度为0.5mm的铝箔；

所述铝碳化硅中不加除铝和碳化硅以外的其他添加剂。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括所述粉料的配制过程，所述过程包括将D₅₀为10～15μm的球形碳化硅粉与D₅₀为70～80μm的球形碳化硅粉按体积比为1：3混合，过50目筛。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述过程包括将D₅₀为12μm的球形碳化硅粉与D₅₀为73μm的球形碳化硅粉按体积比为1：3混合。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述渗铝的步骤中，渗铝压力为5MPa，保压时间为10分钟。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述渗铝的步骤包括将表面铺设所述铝箔的所述粉料板浸入750℃的熔融铝液中，在室温下先抽真空至700Pa，之后再加压至5MPa保压时间为10分钟渗铝。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铝基板为厚5mm的铝块，所述铝块表面至少设置一个深度为3mm的方型槽。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铝基板包括铝金属区(100)和填充区(200)，所述填充区(200)为开设于所述铝金属区(100)内的凹槽，所述填充区(200)中填充碳化硅粉末。

8.一种按权利要求1～7中任一项所述方法制得的铝碳化硅，其特征在于，包括铝金属区和铝碳化硅区，所述铝碳化硅区嵌入所述铝金属区内，所述铝碳化硅区的一面裸露。

9.根据权利要求8所述的铝碳化硅，其特征在于，所述铝碳化硅热导率为250～280W/mK；在50～150℃下热膨胀系数为6～7ppm/K。

10.一种权利要求8或9中所述铝碳化硅制成的电子元器件封装底板。