[发明专利]场效应晶体管开关电路有效
| 申请号： | 201510058395.5 | 申请日： | 2015-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN104821811B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 乔治·努赫拉 | 申请（专利权）人： | Qorvo美国公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王萍;李春晖 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 开关电路 | ||
1.一种开关电路，包括：
第一晶体管，所述第一晶体管具有第一栅极接点、第一漏极接点、第一源极接点和体接点；
第二晶体管，所述第二晶体管具有第二栅极接点、与所述第一栅极接点耦接的第二漏极接点和与所述体接点耦接的第二源极接点；以及
第一电阻器和第二电阻器，所述第一电阻器和第二电阻器串联耦接在所述第一漏极接点和所述第一源极接点之间，以及其中，所述第二栅极接点在所述第一电阻器和第二电阻器之间的节点处耦接至所述第一电阻器和第二电阻器。
2.根据权利要求1所述的开关电路，其中，所述第一电阻器和第二电阻器通过控制线来耦接。
3.根据权利要求1所述的开关电路，其中，所述第一晶体管是n-沟道场效应晶体管并且所述第二晶体管是n-沟道场效应晶体管。
4.根据权利要求1所述的开关电路，其中，所述第一晶体管是p-沟道场效应晶体管并且所述第二晶体管是p-沟道场效应晶体管。
5.根据权利要求1所述的开关电路，其中，所述第一晶体管适于对1800MHz的RF信号进行切换。
6.根据权利要求5所述的开关电路，其中，所述RF信号具有在32dBm与34dBm之间的范围内的功率。
7.一种开关电路，包括：
第一开关，其包括：
第一晶体管，所述第一晶体管具有第一栅极接点、第一漏极接点、第一源极接点和第一体接点；
第二晶体管，所述第二晶体管具有第二栅极接点、与所述第一栅极接点耦接的第二漏极接点和与所述第一体接点耦接的第二源极接点；
第二开关电路，其包括：
第三晶体管，所述第三晶体管具有第三栅极接点、与所述第一源极接点耦接的第三漏极接点、第三源极接点和第三体接点；以及
第四晶体管，所述第四晶体管具有第四栅极接点、与所述第三栅极接点耦接的第四漏极接点和与所述第三体接点耦接的第四源极接点；以及
第一电阻器和第二电阻器，所述第一电阻器和第二电阻器串联耦接在所述第一漏极接点和所述第一源极接点之间，以及其中，所述第二栅极接点在所述第一电阻器和第二电阻器之间的节点处耦接至所述第一电阻器和第二电阻器。
8.根据权利要求7所述的开关电路，其中，所述第一电阻器和第二电阻器通过控制线来耦接。
9.根据权利要求7所述的开关电路，还包括第三电阻器和第四电阻器，所述第三电阻器和第四电阻器串联耦接在所述第三漏极接点和所述第三源极接点之间，以及其中，所述第三栅极接点在所述第三电阻器和第四电阻器之间的节点处耦接至所述第三电阻器和第四电阻器。
10.根据权利要求9所述的开关电路，其中，所述第三电阻器和第四电阻器通过控制线来耦接。
11.根据权利要求7所述的开关电路，其中，所述第一晶体管是n-沟道场效应晶体管并且所述第二晶体管是n-沟道场效应晶体管。
12.根据权利要求7所述的开关电路，其中，所述第一晶体管是p-沟道场效应晶体管并且所述第二晶体管是p-沟道场效应晶体管。
13.根据权利要求7所述的开关电路，其中，所述第三晶体管是n-沟道场效应晶体管并且所述第四晶体管是n-沟道场效应晶体管。
14.根据权利要求7所述的开关电路，其中，所述第三晶体管是p-沟道场效应晶体管并且所述第四晶体管是p-沟道场效应晶体管。
15.根据权利要求7所述的开关电路，其中，所述第一晶体管的栅极接点与所述第三晶体管的栅极接点耦接在一起。
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