[发明专利]用于抑制热吸收的光掩模基板和光掩模

说明书

一种光掩模基板和/或光掩模，包括：透光衬底；被设置在所述透光衬底上的高反射材料层；以及被设置在所述高反射材料层上的转移图案层。所述高反射材料层以预设的反射率反射光，以透过所述透光衬底。

相关申请的交叉引用

本申请主张分别在2014年2月10日以及2014年6月16日在韩国知识产局申请的申请号10-2014-0014898以及10-2014-0073127的韩国专利申请优先权，所述专利申请通过引用以其整体被纳入在此。

技术领域

本公开内容的实施例涉及一种光掩模，并且更具体而言涉及一种能够在光刻工艺期间抑制热吸收的光掩模基板(photomask blank)和/或光掩模。

背景技术

一般而言，半导体装置具有一种其中图案被设置在半导体衬底上的结构。在半导体衬底上被设置为有源或无源组件的图案经由光刻工艺以及刻蚀工艺来形成。利用光刻工艺来形成光刻胶层图案牵涉到在待被形成图案的目标层上形成光刻胶层，并且接着执行利用光掩模的曝光工艺以及利用显影剂的显影工艺。光刻胶层图案可以被用作用于图案化目标层的刻蚀掩模层。用于转移图案至晶圆的光掩模大致具有一种其中待被转移的转移图案被设置在透光衬底上的结构。

发明内容

各种的实施例针对于一种用于抑制热吸收的光掩模基板(在此亦被称为基板掩模(blank mask))以及光掩模。

在一实施例中，一种基板掩模可以包括：透光衬底；设置在透光衬底上的高反射材料层；以及设置在高反射材料层上的光屏蔽(shielding)层。

在一实施例中，一种基板掩模可以包括：透光衬底；以及光屏蔽层，其被设置在透光衬底上，并且由一种反射20％到90％的照射的光的材料所形成。

在一实施例中，一种光掩模可以包括：透光衬底；高反射材料层图案，其被设置在透光衬底上以暴露出透光衬底的透光区域；以及光屏蔽层图案，其被设置在高反射材料层图案上。

在一实施例中，一种光掩模可以包括：透光衬底；以及光屏蔽层图案，其被设置在透光衬底上以通过光刻工艺而被转移到晶圆，并且由一种反射20％到90％的经由透光衬底照射的光量的材料所形成。

在一实施例中，一种光掩模可以包括：透光衬底；以及光屏蔽层图案，其被设置在透光衬底上，并且包括相对厚的第一光屏蔽层图案以及相对薄的第二光屏蔽层图案，其中第一光屏蔽层图案以及第二光屏蔽层图案都通过光刻工艺被转移到晶圆。

在一实施例中，一种光掩模可以包括：透光衬底；以及光屏蔽层图案，其被设置在透光衬底上，并且其中具有暴露出透光衬底的沟槽区段。

附图说明

图1是描绘根据一实施例的一种基板掩模的横截面图。

图2是描绘根据一实施例的一种基板掩模的横截面图。

图3是描绘根据一实施例的一种基板掩模的横截面图。

图4是描绘根据一实施例的一种基板掩模的横截面图。

图5是描绘根据一实施例的一种基板掩模的横截面图。

图6是描绘根据一实施例的一种光掩模的横截面图。

图7是描绘根据一实施例的一种光掩模的横截面图。

图8是描绘根据一实施例的一种光掩模的横截面图。

图9是描绘根据一实施例的一种光掩模的横截面图。

图10是描绘根据一实施例的一种光掩模的横截面图。

图11是描绘根据一实施例的一种光掩模的平面图。

图12是沿着图11的线I-I'所取的横截面图。