[发明专利]可单片使用阳光控制镀膜玻璃及其制备方法

权利要求书

1.可单片使用阳光控制镀膜玻璃，其特征在于，包括玻璃基板以及设于所述玻璃基板一侧面的膜层，所述膜层自玻璃基板向外依次为介质阻挡层、第一牺牲层、功能层、第二牺牲层、介质支撑层和顶层保护层；

所述第一牺牲层和第二牺牲层分别设于功能层的两侧以保护功能层，所述第一牺牲层和第二牺牲层通过较强的抗氧化和抗腐蚀性能保护功能层不受到侵蚀；所述第一牺牲层和第二牺牲层的材质为Nb基合金或Nb基合金的氮化物；

其中，所述第一牺牲层和第二牺牲层的材质为NbZr、NbZrN_x或NbCr；所述第一牺牲层和第二牺牲层的材质为NbZr时，其中Zr原子百分含量为7％-15％；或所述第一牺牲层和第二牺牲层的材质为NbCr时，其中Cr的原子百分含量为5％-20％。

2.根据权利要求1所述的可单片使用阳光控制镀膜玻璃，其特征在于，所述玻璃基板的厚度是3mm、5mm、6mm、8mm或12mm。

3.根据权利要求1所述的可单片使用阳光控制镀膜玻璃，其特征在于，所述介质阻挡层直接附着在玻璃基板的表面以阻挡玻璃基板中的碱金属离子扩散而侵蚀功能层；所述介质阻挡层的材质为Si₃N₄、SiO₂、TiO₂、ZrO₂或Al₂O₃；所述介质阻挡层的厚度为20-200nm。

4.根据权利要求1所述的可单片使用阳光控制镀膜玻璃，其特征在于，所述第一牺牲层和第二牺牲层的厚度为1-10nm。

5.根据权利要求1所述的可单片使用阳光控制镀膜玻璃，其特征在于，所述功能层吸收和反射太阳光中780nm-2500nm波长范围的近红外辐射能；所述功能层的材质为NiCr、Cr、NiCrN_x或CrN_x。

6.根据权利要求1所述的可单片使用阳光控制镀膜玻璃，其特征在于，所述功能层的厚度为1-18nm。

7.根据权利要求1所述的可单片使用阳光控制镀膜玻璃，其特征在于，所述介质支撑层阻挡外界的氧经扩散进入膜层内部，保护功能层和牺牲层不被氧化；所述介质支撑层的材质为Si₃N₄、SiO₂、TiO₂、ZrO₂或Al₂O₃；所述介质支撑层的厚度为20-200nm。

8.根据权利要求1所述的可单片使用阳光控制镀膜玻璃，其特征在于，所述顶层保护层提高整个膜层耐久性，具有良好的硬度、耐磨性和耐酸碱腐蚀性能；所述顶层保护层的材质为ZrO₂、ZrYO_x或者ZrSiO_x；所述顶层保护层的厚度为2-20nm；所述顶层保护层的材质为ZrYO_x时，Y的原子百分含量为6％-9％。

9.权利要求1-8任一项所述的可单片使用阳光控制镀膜玻璃的制备方法，包括如下步骤：

a)玻璃基板清洗干净并干燥后备用；

b)采用中频电源和旋转阴极在已清洗干净的玻璃基板上沉积介质阻挡层；

c)采用脉冲直流电源或者中频电源和旋转阴极或者是平面阴极在介质阻挡层上沉积第一牺牲层；

d)采用脉冲直流电源或者中频电源和旋转阴极或者是平面阴极在第一牺牲层上沉积功能层；

e)采用脉冲直流电源或者中频电源和旋转阴极或者是平面阴极在功能层上沉积第二牺牲层；

f)采用中频电源和旋转阴极在第二牺牲层上沉积介质支撑层；

g)采用中频电源和旋转阴极在介质支撑层上沉积顶层保护层。