[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板；

位于所述基板上的栅电极、栅极线和金属预置层，所述栅极线与所述金属预置层位于同一层且相互电绝缘；

覆盖所述栅电极和栅极线的层间绝缘结构，所述层间绝缘结构将所述金属预置层裸露出来；

位于所述层间绝缘结构上的源电极和漏电极；

位于所述层间绝缘结构与所述金属预置层上的数据线，所述数据线和所述源电极电连接；

其中，在所述基板与所述栅电极、栅极线和金属预置层之间，还包括：

位于所述基板上的缓冲层；

位于所述缓冲层上的有源层结构；

覆盖所述有源层结构和所述缓冲层的栅极绝缘层；

所述栅电极、所述栅极线和所述金属预置层在同一工艺步骤中形成，所述金属预置层设置在所述栅极绝缘层上，且所述栅极绝缘层和所述金属预置层的厚度之和大于所述有源层结构的厚度；

所述金属预置层的位置高于所述有源层结构的位置。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述层间绝缘结构和所述栅极绝缘层上设置有第一过孔与第二过孔，所述源电极和所述漏电极分别通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述有源层结构电连接。

3.根据权利要求1-2任一所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

覆盖所述源电极、所述漏电极和所述数据线的平坦化层；

位于所述平坦化层上的第一透明导电电极；

位于所述第一透明导电电极上的绝缘层；

所述平坦化层、所述第一透明导电电极和所述绝缘层上设置有第三过孔；

位于所述绝缘层上的第二透明导电电极，所述第二透明导电电极通过所述第三过孔与所述漏电极电连接。

4.根据权利要求1-2任一所述的阵列基板，其特征在于，所述栅电极、所述栅极线和所述金属预置层的厚度均为100nm～500nm。

5.根据权利要求1-2任一所述的阵列基板，其特征在于，所述源电极、所述漏电极和所述数据线的厚度均为100nm～2000nm。

6.一种显示面板，其特征在于，包括相对设置的对置基板和阵列基板，所述阵列基板为权利要求1-5任一项所述的阵列基板。

7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求6所述的显示面板。

8.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

在所述基板上形成栅极金属层，刻蚀所述栅极金属层形成栅电极、栅极线和金属预置层，所述栅极线与所述金属预置层电绝缘；

在所述栅电极、所述栅极线和所述金属预置层上形成层间绝缘层，图案化所述层间绝缘层形成层间绝缘结构，所述层间绝缘结构将所述金属预置层裸露出来；

在所述层间绝缘结构和所述金属预置层上形成源漏极金属层，刻蚀所述源漏极金属层形成源电极、漏电极和数据线，所述金属预置层位于所述数据线下面；

其中，在所述基板上形成栅极金属层之前，所述方法还包括：

在所述基板上形成缓冲层；

在所述缓冲层上形成有源层，图案化所述有源层形成有源层结构；

在所述有源层结构和所述缓冲层上形成栅极绝缘层；

所述栅电极、所述栅极线和所述金属预置层在同一工艺步骤中形成，所述金属预置层设置在所述栅极绝缘层上，且所述栅极绝缘层和所述金属预置层的厚度之和大于所述有源层结构的厚度；

所述金属预置层的位置高于所述有源层结构的位置。

9.根据权利要求8所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述层间绝缘结构和所述栅极绝缘层上形成有第一过孔和第二过孔，所述源电极和所述漏电极分别通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述有源层结构电连接。

10.根据权利要求8-9任一所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述层间绝缘结构和所述金属预置层上形成源漏极金属层，刻蚀所述源漏极金属层形成源电极、漏电极和数据线之后，所述方法还包括：

在所述源电极、所述漏电极和所述数据线上方形成平坦化层；

在所述平坦化层上形成第一透明导电电极；

在所述第一透明导电电极上形成绝缘层；

在所述绝缘层、所述第一透明导电电极和所述平坦化层上形成第三过孔；

在所述绝缘层上形成第二透明导电电极，所述第二透明导电电极通过所述第三过孔与所述漏电极电连接。