[发明专利]一种球墨铸铁生产中对球墨铸铁件热处理的方法在审
申请号: | 201510059964.8 | 申请日: | 2015-02-04 |
公开(公告)号: | CN104726658A | 公开(公告)日: | 2015-06-24 |
发明(设计)人: | 张永军 | 申请(专利权)人: | 山西清慧机械制造有限公司 |
主分类号: | C21D5/00 | 分类号: | C21D5/00;C21D1/26 |
代理公司: | 四川君士达律师事务所 51216 | 代理人: | 芶忠义 |
地址: | 048002 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 球墨铸铁 生产 热处理 方法 | ||
技术领域
本发明属于球墨铸铁生产技术领域,尤其涉及一种球墨铸铁生产中对球墨铸铁件热处理的方法。
背景技术
低温冲击的球墨铸铁要求在低温下有很好的冲击性能,其本体内部质量要求非常高,如何得到其各项性能要求且能稳定生产是材料生产的难点。
冲击韧性反映材料断裂时吸收的能量,也反映快速形变条件下,材料抵抗裂纹萌生、发展和断裂的能力。低温冲击韧性是一个材料的韧性指标,也就是说具有较高低温冲击韧性的球墨铸铁件在-50℃时具有较高冲击韧性,脆--韧性能转变温度较低,能够较好的克服冷脆。
材料断裂往往是穿晶或沿晶断裂,材料晶粒粗大或石墨球径偏大,削弱了材料的键合力,在冲击载荷作用下,经常形成为裂纹源,或裂纹传播的途径,降低材料的耐低温冲击能力。球墨铸铁生产中,现有技术对球墨铸铁件的热处理效果不理想,球墨铸铁的低温冲击能力差。
发明内容
本发明提供了一种球墨铸铁生产中对球墨铸铁件热处理的方法,旨在解决球墨铸铁生产中,现有技术对球墨铸铁件的热处理效果不理想,球墨铸铁的低温冲击能力差的问题。
本发明的目的在于提供一种球墨铸铁生产中对球墨铸铁件热处理的方法,该方法包括以下步骤:
步骤一:对球墨铸铁件进行金相检测,判定球化等级、基体组织,根据基体组织确定为高温石墨化退火工艺;
步骤二:将铸件装炉,加热使铸件升温到890℃-910℃,保温2-4h;
步骤三:随炉冷却至740℃-760℃,保温1-3h;
步骤四:随炉冷却至600℃-630℃,球墨铸铁件出炉,空冷至常温,完成球墨铸铁件热处理。
进一步,高温石墨化退火工艺的确定方法为:铸件在造型时使用很多冷铁,可造成极冷部位产生碳化物,故采取两阶段高温退火工艺使碳化物分解。
进一步,球墨铸铁件升温速度不高于80℃/h。
进一步,球墨铸铁件随炉将温速度不高于40℃/h。
效果汇总:
本发明提供的球墨铸铁生产中对球墨铸铁件热处理的方法,细化了晶粒,消除了极冷部位产生碳化物,增强了球墨铸铁的低温冲击能力,降低硬度,改善切削加工性,保证材料符合低温球墨铸铁的各项性能,稳定工艺得到各项性能指标,可以实现批量生产,降低了成本。
附图说明
图1是本发明提供的球墨铸铁生产中对球墨铸铁件热处理的方法的流程图;
图2是本发明提供的球墨铸铁生产中对球墨铸铁件热处理的方法的曲线图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步的详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定发明。
图1是本发明实施例提供的球墨铸铁生产中对球化处理铁水热处理的方法的实现流程。
本发明的目的在于提供一种球墨铸铁生产中对球墨铸铁件热处理的方法,该方法包括以下步骤:
S101:对球墨铸铁件进行金相检测,判定球化等级、基体组织,根据基体组织确定为高温石墨化退火工艺;
S102:将铸件装炉,加热使铸件升温到890℃-910℃,保温2-4h;
S103:随炉冷却至740℃-760℃,保温1-3h;
S104:随炉冷却至600℃-630℃,球墨铸铁件出炉,空冷至常温,完成球墨铸铁件热处理。
作为本案例的一优化方案,高温石墨化退火工艺的确定方法为:铸件在造型时使用很多冷铁,可造成极冷部位产生碳化物,故采取两阶段高温退火工艺使碳化物分解。
作为本案例的一优化方案,球墨铸铁件升温速度不高于80℃/h。
作为本案例的一优化方案,球墨铸铁件随炉将温速度不高于40℃/h。
如图2所示,本发明的铸件热处理前首先金相检测,判定球化等级、基体组织,根据基体组织确定退火工艺,退火的目的是获得高韧性的铁素体球墨铸铁。因铸件在造型时使用很多冷铁,可造成极冷部位产生碳化物故采取两阶段高温退火工艺。
本发明提供的球墨铸铁生产中对球墨铸铁件热处理的方法,细化了晶粒,消除了极冷部位产生碳化物,增强了球墨铸铁的低温冲击能力,降低硬度,改善切削加工性,保证材料符合低温球墨铸铁的各项性能,稳定工艺得到各项性能指标,可以实现批量生产,降低了成本。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
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