[发明专利]一种解决底切问题的刻蚀方法

权利要求书

1.一种解决底切的刻蚀方法，其特征在于，包括：

将第一材料层、掩膜层以及金属层置于密封的工艺腔室，其中所述第一材料层设置在所述金属层上，所述掩膜层设置在所述第一材料层上，且所述掩膜层上设置有刻蚀图案；

在所述工艺腔室内采用ECCP刻蚀，在满足预设条件下对所述第一材料层进行刻蚀，直至露出所述金属层；

其中所述预设条件包括：将所述工艺腔室的气压设置为50-70mTorr，将预设气体充盈于所述工艺腔室内，其中所述预设气体是由氧气和氟基气体组成的混合气体，所述氧气和氟基气体的比例设置为16:1，将所述工艺腔室的刻蚀源功率设置为4千瓦、偏压功率设置为1千瓦,在10-30秒内对所述第一材料层进行刻蚀，所述第一材料层是在所述金属层上依次叠置的氮化硅和二氧化硅。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述氟基气体是SF6。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，

所述掩膜层是正型光阻材料或负型光阻材料。