[发明专利]NANDFlash编程器烧录映像文件的生成方法及装置有效
申请号: | 201510061225.2 | 申请日: | 2015-02-05 |
公开(公告)号: | CN104679507B | 公开(公告)日: | 2017-10-03 |
发明(设计)人: | 吴纯彬;张雷鸣 | 申请(专利权)人: | 四川长虹电器股份有限公司 |
主分类号: | G06F9/44 | 分类号: | G06F9/44 |
代理公司: | 四川省成都市天策商标专利事务所51213 | 代理人: | 秦华云 |
地址: | 621000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | nand flash 编程 器烧录 映像 文件 生成 方法 装置 | ||
技术领域
本发明涉及计算机数据存储领域,特别涉及一种NAND Flash编程器烧录映像文件的生成方法及装置。
背景技术
目前,由于IT系统的嵌入式应用软件越来越复杂,软件文件越来越大,因此作为IT系统对外设存储器的容量要求越来越高,因此大容量NAND存储器得到了广泛的应用,在嵌入式领域,大容量NAND存储器几乎已成为高端嵌入式软件IT产品的标配。在包含NAND存储器的产品量产时,为提高生成效率,需要将Bin文件做成NAND格式的烧录映像文件,然后用编程器写入NAND存储器。现有的嵌入式软件开发工具中提供了一种NAND编程器烧录映像文件生成工具,在使用该烧录映像文件生成工具时,需要在计算机上安装特殊的安装程序工具,因此该工具通用性差。
发明内容
【要解决的技术问题】
本发明的目的是提供一种NAND Flash编程器烧录映像文件的生成方法,以解决目前的NAND烧录工具通用性差的问题。
【技术方案】
本发明是通过以下技术方案实现的。
本发明首先涉及一种NAND Flash编程器烧录映像文件的生成方法,该方法包括:
步骤A:分别在各个软件模块的原始二进制数据基础上附加Spare area数据得到各个软件模块的Bin_spare_area文件,所述Spare area数据包含ECC校验码;
步骤B:分别对各个软件模块的Bin_spare_area文件中的原始二进制数据进行内存对齐处理,得到各个软件模块的Bin_swapping文件;
步骤C:将各个软件模块的Bin_swapping文件合并得到烧录映像文件。
作为一种优选的实施方式,所述步骤B具体包括:分别将各个软件模块的 Bin_spare_area文件中的原始二进制数据进行分组;根据NAND Flash编程器的CPU的工作模式对分组后的每组数据进行小端对齐或大端对齐处理,分别得到每组原始二进制数据对应的对齐数据;将Bin_spare_area文件中的原始二进制数据由其对应的对齐数据替换,得到各个软件模块的Bin_swapping文件。
作为另一种优选的实施方式,所述步骤B中按照每4个字节为一组,将各个软件模块的Bin_spare_area文件中的原始二进制数据进行分组。
本发明还涉及一种NAND Flash编程器烧录映像文件的生成装置,该装置包括Spare area数据附加模块、数据大小端倒置模块和合并模块,
所述Spare area数据附加模块用于分别在各个软件模块的原始二进制数据基础上附加Spare area数据得到各个软件模块的Bin_spare_area文件,所述Spare area数据包含ECC校验码;
所述数据大小端倒置模块用于分别对各个软件模块的Bin_spare_area文件中的原始二进制数据进行内存对齐处理,得到各个软件模块的Bin_swapping文件;
所述合并模块用于将各个软件模块的Bin_swapping文件合并得到烧录映像文件。
【有益效果】
本发明提出的技术方案具有以下有益效果:
(1)按照本发明公开的方法,对于每个单独的软件模块,利用简单的文本处理程序生成对应的NAND Flash编程器烧录映像文件,不需要额外安装烧录工具,具有较强的通用性;
(2)对于具有多个软件模块的工程软件,本发明方法可以方便实现各个软件模块烧录映像文件的重新生成和更换。
附图说明
图1为本发明的实施例一提供的NAND Flash编程器烧录映像文件的生成方法的流程图。
图2为本发明的实施例二提供的NAND Flash编程器烧录映像文件的生成装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图,对本发明的具体实施方式进行清楚、完整的描述,显然,所描述的实施例是本发明的一部分实施例,而不是全部实施例,也不是对本发明的限制。基于本发明的实施例,本领域普通技术人员在不付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明的保护范围。
图1为本发明实施例一提供的NAND Flash编程器烧录映像文件的生成方法的流程图。如图1所示,该方法包括步骤S1至步骤S3,下面分别对步骤S1至步骤S3进行详细说明。
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