[发明专利]一种高亮度发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种高亮度发光二极管，在永久衬底GaAs的一面依次设置N-GaAs过渡层、AlAs/AlGaAs反射层、N-AlGaInP下限制层、MQW多量子阱有源层、P-AlGaInP上限制层、P-GaInP缓冲层、掺杂镁的P-GaP电流扩展层、氧化铟锡透明薄膜和第一电极，在永久衬底GaAs的另一面设置第二电极，其特征在于在所述掺杂镁的P-GaP电流扩展层和氧化铟锡透明薄膜之间设置图形化的接触点；

所述掺杂镁的P-GaP电流扩展层中，接近缓冲层的镁的掺杂浓度为4×10¹⁷cm^-3～8×10¹⁷cm^-3，远离缓冲层的镁的掺杂浓度为8×10¹⁷cm^-3～1×10¹⁹cm^-3，远离缓冲层的镁的掺杂深度为300nm～500nm。

2.根据权利要求1所述高亮度发光二极管，其特征在于所述掺杂镁的P-GaP电流扩展层的厚度为2000nm～4000nm。

3.根据权利要求1所述高亮度发光二极管，其特征在于所述氧化铟锡透明薄膜的厚度为250～300nm。

4.根据权利要求1所述高亮度发光二极管，其特征在于所述接触点为圆柱形，直径为3～5μm，高度为200～400nm。

5.如权利要求1所述高亮度发光二极管的制造方法，包括以下步骤：

1）制作外延片：在永久衬底GaAs的一面依次外延生长N-GaAs过渡层、AlAs/AlGaAs反射层、N-AlGaInP下限制层、MQW多量子阱有源层、P-AlGaInP上限制层、P-GaInP缓冲层、P-GaP电流扩展层；

2）在外延片表面制作图形化接触点；

3）在具有图形化接触点的P-GaP电流扩展层一面整面沉积透明导电薄膜；

4）在透明导电薄膜上制作第一电极；

5）在永久衬底GaAs的另一面制作第二电极；

6）采用RTA进行退火处理；

其特征在于：

在制作外延片的P-GaP电流扩展层时，以镁为掺杂元素；

在制作图形化接触点的同时，对接触点以外的P-GaP电流扩展层表面采用湿法进行粗化处理，粗化深度为200～400nm；

沉积透明导电薄膜的材料为铟锡氧化物；

所述掺杂镁的P-GaP电流扩展层中，接近缓冲层的镁的掺杂浓度为4×10¹⁷cm^-3～8×10¹⁷cm^-3，远离缓冲层的镁的掺杂浓度为8×10¹⁷cm^-3～1×10¹⁹cm^-3，远离缓冲层的镁的掺杂深度为300nm～500nm。

6.根据权利要求5所述高亮度发光二极管的制造方法，其特征在于：所述氧化铟锡透明薄膜的厚度为250～300nm。

7.根据权利要求5所述高亮度发光二极管的制造方法，其特征在于：所述接触点为圆柱形，直径为3～5μm，高度为200～400nm。

8.根据权利要求5所述高亮度发光二极管的制造方法，其特征在于：所述RTA退火温度为350～450℃，退火时间5～20s。