[发明专利]高速低功耗多阈值异步置位复位D型触发器有效

专利信息
申请号: 201510061519.5 申请日: 2015-02-06
公开(公告)号: CN104617922A 公开(公告)日: 2015-05-13
发明(设计)人: 罗恒;胡封林;刘宗林;鲁建壮;李振涛;马卓;赵天磊;屈婉霞;李永进;吴虎成;李勇;胡少飞;廖健 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科学技术大学
主分类号: H03K3/356 分类号: H03K3/356;H03K3/012
代理公司: 湖南兆弘专利事务所 43008 代理人: 周长清
地址: 410073 湖南省长沙市砚瓦池正街47号中国*** 国省代码: 湖南;43
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 高速 功耗 阈值 异步 复位 触发器
【权利要求书】:

1.一种高速低功耗多阈值异步置位复位D型触发器,其特征在于,包括:

低功耗控制电路,用来接收低功耗控制输入信号slp,对低功耗控制输入信号slp进行缓冲处理后分别输出信号:sleep和nsleep;

置位控制电路,用来接收异步置位输入信号set,对异步置位输入信号set进行缓冲处理后分别输出信号:s和ns;

主锁存器,用来接收数据输入信d、正相时钟输入信号clk、反相时钟输入信号nclk、异步复位输入信号r以及信号:sleep、nsleep、s和ns;所述主锁存器在正相时钟输入信号clk、反相时钟输入信号nclk的控制下对数据输入信号d进行锁存处理后输出qt;异步复位输入信号r为低电平有效时,不受正相时钟输入信号clk、反相时钟输入信号nclk的控制,处理后输出qt为低电平“0”;异步置位输入信号s为低电平有效、ns为高电平有效时,不受正相时钟输入信号clk、反相时钟输入信号nclk的控制,处理后输出qt为高电平“1”;

从锁存器,用来接收正相时钟输入信号clk、反相时钟输入信号nclk、异步复位输入信号r及信号qt、s、sleep和nsleep;所述从锁存器在正相时钟输入信号clk、反相时钟输入信号nclk的控制下对qt进行锁存处理后分别输出第一数据信号q和第二数据信号nq;异步复位信号r为低电平有效时,不受正相时钟输入信号clk、反相时钟输入信号nclk的控制,处理后输出q,为低电平“0”,nq为高电平“1”;异步置位信号s为低电平有效、ns为高电平有效时,不受正相时钟输入信号clk、反相时钟输入信号nclk的控制,处理后输出q为高电平“1”,nq为低电平“0”。

2.根据权利要求1所述的高速低功耗多阈值异步置位复位D型触发器,其特征在于,所述主锁存器在接收sleep为高电平有效、nsleep为低电平有效信号时,不受正相时钟输入信号clk、反相时钟输入信号nclk的控制,所述主锁存器进入睡眠状态,此时正相时钟输入信号clk为低电平“0”, 反相时钟输入信号nclk为高电平“1”。

3.根据权利要求1所述的高速低功耗多阈值异步置位复位D型触发器,其特征在于,所述从锁存器在接收sleep为高电平有效、nsleep为低电平有效信号时,不受正相时钟输入信号clk、反相时钟输入信号nclk的控制,所述从锁存器进入睡眠状态,此时正相时钟输入信号clk为低电平“0”, 反相时钟输入信号nclk为高电平“1”,输出值q,nq保持不变。

4.根据权利要求1或2或3所述的高速低功耗多阈值异步置位复位D型触发器,其特征在于,所述低功耗控制电路具有一个输入端和两个输出端,输入端为slp,为低功耗控制信号,高有效;输出端为sleep、nsleep,为睡眠和睡眠的非;所述低功耗控制电路包括一个两级的反相器,其中第一级的反相器由P1 PMOS管和N1 NMOS管组成,其栅极连接slp,输出作为低功耗控制电路的一个输出端nsleep;第二级的反相器由P2 PMOS管和N2 NMOS管组成,其栅极连接nsleep,输出作为低功耗控制电路的另一个输出端sleep;P1 PMOS管和P2 PMOS管的衬底连接电源Vdd,源极连接电源Vdd;N1 NMOS管和N2 NMOS管的衬底接地Vss,源极连接地Vss。

5.根据权利要求1或2或3所述的高速低功耗多阈值异步置位复位D型触发器,其特征在于,所述置位控制电路具有一个输入端和两个输出端,输入端为set,为异步置位控制信号,低有效;输出端为s、ns,为置位和置位的非;所述置位控制电路为一个两级的反相器,其中第一级的反相器由P1 PMOS管和N1 NMOS管组成,其栅极连接set,输出作为置位控制电路的一个输出端ns;第二级的反相器由P2 PMOS管和N2 NMOS管组成,其栅极连接ns,输出作为置位控制电路的另一个输出端s;P1 PMOS管和P2 PMOS管的衬底连接电源Vdd,源极连接电源Vdd;N1 NMOS管和N2 NMOS管的衬底接地Vss,源极连接地Vss。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民解放军国防科学技术大学,未经中国人民解放军国防科学技术大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510061519.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top