[发明专利]有机发光显示设备有效
申请号: | 201510062026.3 | 申请日: | 2015-02-05 |
公开(公告)号: | CN104851984B | 公开(公告)日: | 2018-06-08 |
发明(设计)人: | 尹锡奎;金东赞;金元钟;金应道;徐东揆;宋英宇;李钟赫 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 严芬;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机发光显示设备 第二电极 第一电极 第三层 第一层 中间层 基板 有机发射层 导电材料 功函数 偶极子 | ||
提供了一种有机发光显示设备,所述有机发光显示设备包括:基板;在所述基板上的第一电极;在所述第一电极上且包括有机发射层的中间层;以及第二电极,所述第二电极包括含偶极子材料的第一层、含具有3.6eV或更小的功函数的材料的第二层、以及含导电材料的第三层,其中所述第一层至所述第三层被顺序地布置在所述中间层上。
相关申请的交叉引用
2014年2月19日在韩国知识产权局提交的且标题为“有机发光显示设备”的韩国专利申请No.10-2014-0019221,通过引用整体被合并于此。
技术领域
一个或多个实施例涉及一种有机发光显示设备。
背景技术
有机发光显示设备可包括有机发光二极管(OLED),有机发光二极管(OLED)可包括空穴注入电极、电子注入电极、以及形成在空穴注入电极和电子注入电极之间的有机发射层。有机发光显示设备可以是自发射显示设备,在该自发射显示设备中,从空穴注入电极注入的空穴和从电子注入电极注入的电子可在有机发射层中结合并产生激子。随着激子从激发态降至基态,可产生光。
有机发光显示设备可以是自发射的,可不需要单独的光源,并且有机发光显示设备可在低压下驱动且被配置成质量轻且薄。极好的视角、对比度、响应时间和其它特性可使得有机发光显示设备被广泛用于诸如MP3播放器、移动电话之类的个人便携式设备和电视机中。
发明内容
实施例可通过提供一种有机发光显示设备来实现,该有机发光显示设备包括:基板;在所述基板上的第一电极;在所述第一电极上且包括有机发射层的中间层;以及第二电极,所述第二电极包括含偶极子材料的第一层、含具有3.6eV或更小的功函数的材料的第二层、以及含导电材料的第三层,所述第一层至所述第三层被顺序地布置在所述中间层上。
所述第一层至所述第三层可分别由氟化锂(LiF)、镱(Yb)和银(Ag)形成。
所述第二电极可进一步包括第四层,所述第四层位于所述第二层和所述第三层之间并且可包括Yb和Ag的化合物。
所述第二层至所述第四层的片电阻值可以是5Ω/cm2或更小。
所述第一层的厚度可在约0.5nm至约5nm之间。
所述第二层的厚度可在约0.5nm至约5nm之间。
所述第三层的厚度可在约5nm至约30nm之间。
所述第一层可包括氟化物系化合物或氯化物系化合物。
所述第二层可包括金属、金属合金或金属氧化物。
所述第三层可包括银(Ag)、铝(Al)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、铟镓氧化物(IGO)、铝锌氧化物(AZO)、纳米线和石墨烯中的至少之一。
所述第一电极可包括反射金属层和透明导电氧化物层。
所述第一电极可包括通过顺序地堆叠铟锡氧化物(ITO)、银(Ag)和ITO形成的堆叠层结构,并且所述第一电极中Ag层的厚度可以是或更大。
所述第二层的厚度可在约0.5nm至约5nm之间。
所述第三层的厚度可在约5nm至约30nm之间。
附图说明
通过参照附图详细描述示例性实施例,特征对于本领域普通技术人员而言将变得显而易见,附图中:
图1图示根据一实施例的有机发光显示设备的示意性剖视图;以及
图2图示根据另一实施例的有机发光显示设备的示意性剖视图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510062026.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于电池组的壳体
- 下一篇:一种小分子有机半导体单晶的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择