[发明专利]太赫兹准光功率合成与放大装置有效
申请号: | 201510062048.X | 申请日: | 2015-02-05 |
公开(公告)号: | CN104701635B | 公开(公告)日: | 2018-01-30 |
发明(设计)人: | 司黎明;吕昕;王旭东;于伟华;倪鸿宾;张庆乐;郭大路;罗晓斌;王志明 | 申请(专利权)人: | 北京理工大学 |
主分类号: | H01Q19/19 | 分类号: | H01Q19/19;H01Q13/02;H01Q21/00;H03F3/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100081 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 赫兹 功率 合成 放大 装置 | ||
1.太赫兹准光功率合成与放大装置,其特征在于:该放大装置包括主抛物面反射镜A和副抛物面反射镜A′、第一级微波放大阵列芯片、第二级微波放大阵列芯片、第三级微波放大阵列芯片、……、第N级微波放大阵列芯片、太赫兹倍频阵列芯片和主抛物面反射镜B和副抛物面反射镜B′;
其中,第一级微波放大阵列芯片由m×n个子单元组成,每个子单元在介质基片上集成了微波接收天线、微波耦合微带线、微波放大电路和微波辐射缝隙;在介质基片的正面有微波接收天线、微波放大电路和微波耦合微带线;在介质基片的背面有微波辐射缝隙,微波辐射缝隙与微波耦合微带线成十字正交关系;
位于副抛物面反射镜A′焦点处的发射源发射的微波信号依次经过副抛物面反射镜A′和主抛物面反射镜A的反射后被微波接收天线接收,微波接收天线将信号传输给微波放大电路,微波放大电路对接收到的信号进行放大后输出给微波耦合微带线,微波耦合微带线将信号耦合至微波辐射缝隙,微波辐射缝隙将信号耦合至第二级微波放大阵列芯片正面的第一段微波耦合微带线;
第二级微波放大阵列芯片由m×n个子单元组成,每个子单元在介质基片上集成了第一段微波耦合微带线、微波放大电路、第二段微波耦合微带线和微波辐射缝隙;在介质基片的正面有第一段微波耦合微带线、微波放大电路和第二段微波耦合微带线;在介质基片的背面有微波辐射缝隙,微波辐射缝隙与第二段微波耦合微带线成十字正交关系;第一段微波耦合微带线与第一级微波放大阵列芯片背面的微波辐射缝隙成十字正交关系;
第二级微波放大阵列芯片的第一段微波耦合微带线将耦合到的信号传输给微波放大电路,微波放大电路对接收到的信号进行放大后输出给第二段微波耦合微带线,第二段微波耦合微带线将信号耦合至第二级微波放大阵列芯片的微波辐射缝隙,微波辐射缝隙将信号耦合至下一级微波放大阵列芯片;
第三级微波放大阵列芯片、……、第N-1级微波放大阵列芯片与第二级微波放大阵列芯片的结构和传输方式均相同;
第N级微波放大阵列芯片与第二级微波放大阵列芯片的结构相同;传输方式如下:
第N级微波放大阵列芯片的第一段微波耦合微带线将耦合到的信号传输给微波放大电路,微波放大电路对接收到的信号进行放大后输出给第二段微波耦合微带线,第二段微波耦合微带线将信号耦合至第N级微波放大阵列芯片的微波辐射缝隙,微波辐射缝隙将信号耦合至太赫兹倍频阵列芯片的微波耦合微带线;
太赫兹倍频阵列芯片由p×q个子单元组成,每个子单元在介质基片上集成了微波耦合微带线、太赫兹倍频器、太赫兹一分M等功分器和M个太赫兹辐射缝隙;
在介质基片的正面有微波耦合微带线、太赫兹倍频器和太赫兹一分M等功分器;在介质基片的背面有M个太赫兹辐射缝隙,M个太赫兹辐射缝隙与太赫兹一分M等功分器中的太赫兹耦合微带线一一对应且成十字正交关系;
太赫兹倍频阵列芯片的微波耦合微带线将耦合到的信号传输给太赫兹倍频器,太赫兹倍频器将信号倍频至太赫兹频段,输出太赫兹信号,并将输出的太赫兹信号传输给太赫兹一分M等功分器,太赫兹一分M等功分器将太赫兹信号等分为M路相参信号,M路等幅相参信号耦合至与其一一对应的太赫兹辐射缝隙;太赫兹辐射缝隙输出太赫兹信号依次经过主抛物面反射镜B和副抛物面反射镜B′反射后由位于副抛物面反射镜B′焦点处的接收设备接收。
2.根据权利要求1所述的太赫兹准光功率合成与放大装置,其特征在于:接收设备为超外差太赫兹准光接收器。
3.根据权利要求1所述的太赫兹准光功率合成与放大装置,其特征在于:发射源为微波喇叭发射天线。
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