[发明专利]一种图形制作方法、阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201510062159.0 | 申请日: | 2015-02-05 |
公开(公告)号: | CN104617041B | 公开(公告)日: | 2018-06-26 |
发明(设计)人: | 苗青;吴俊 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1337 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 凹槽结构 功能图案 绝缘层 刻蚀 图案层 图形制作 显示装置 阵列基板 漏光现象 摩擦工艺 像素区域 有效减少 非凹槽 基板 凸起 平坦 保留 | ||
本发明提供一种图形制作方法阵列基板、显示装置,涉及显示领域。其中,方法包括:在所述绝缘层上刻蚀出与所述功能图案相同的凹槽结构,所述凹槽结构的厚度小于所述绝缘层的厚度;在刻蚀有所述凹槽结构的基板上形成待刻蚀为功能图案的图案层;刻蚀非凹槽结构上的所述图案层,得到由保留在所述凹槽结构上的图案层形成的所述功能图案。本发明的方案能够有效减少绝缘层上形成的功能图案的凸起,使像素区域的边缘附近更加平坦,从而提高了PI薄膜的摩擦工艺,避免发生漏光现象。
技术领域
本发明涉及显示领域,特别是一种图形制作方法、阵列基板及显示装置。
背景技术
液晶显示装置包括阵列基板、彩膜基板以及设置在阵列基板和彩膜基板之间的液晶。为了使得阵列基板和彩膜基板在不加电压的情况下稳定液晶方向,需要在阵列基板上设置有PI(Polyimide,聚酰亚胺)薄膜。
图1为在TFT基板上摩擦PI薄膜的示意图(以顶栅结构为例),从图中可以看出,目前绝缘层上方的源电极6、漏电极7、半导体层图案8均是存在凸起的,因此像素区域9的边缘附近会存在段差h,当辊子10在摩擦PI薄膜过程中会因段差h而形成盲区Rubbing Shadow。这样一来,盲区中的PI薄膜因未被摩擦到而导致液晶分子排列混乱,使得光无法按照预期方向折射,发生像素区域边缘的漏光现象。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种图形制作方法阵列基板、显示装置,能够有效减少功能图案在绝缘层上形成的凸起。
为解决上述技术问题,本发明的实施例提供技术方案如下:
一方面,本发明实施例提供了一种图形制作方法,用于在最上层为绝缘层的基板上形成功能图案,所述图形制作方法包括:
在所述绝缘层上刻蚀出与所述功能图案相同的凹槽结构,所述凹槽结构的厚度小于所述绝缘层的厚度;
在刻蚀有所述凹槽结构的基板上形成待刻蚀为功能图案的图案层;
刻蚀掉非凹槽结构上的所述图案层,得到由保留在所述凹槽结构上的图案层形成的所述功能图案。
其中,所述功能图案为半导体层图案;所述图案层为半导体层。
或者,所述功能图案为源漏电极图案;所述图案层为源漏电极金属层。
再或者,所述功能图案为半导体层图案和源漏电极图案;所述图案层为半导体层和源漏电极金属层。
其中,在所述绝缘层上刻蚀出与所述功能图案相同的凹槽结构,包括:
在所述绝缘层上逐次按照所述半导体层图案以及源漏电极图案进行刻蚀;或在所述绝缘层上按照所述半导体层图案以及源漏电极图案组成的符合图案进行刻蚀。
另一方面,本发明实施例还提供了一种阵列基板,所述阵列基板的绝缘层具有凹槽结构,形成在所述绝缘层上的功能图案至少一部分与所述凹槽结构重叠。
此外,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括上述的阵列基板。
本发明的上述技术方案的有益效果如下:
在本发明的方案中,绝缘层上的凹槽可抵消其上面功能图案的凸起,因此可使像素区域的边缘附近更加平坦,进而提高了PI薄膜摩擦工艺,避免发生漏光现象。
附图说明
图1为在现有技术的TFT基板上摩擦PI薄膜的示意图;
图2为本发明的图形制作方法的步骤示意图;
图3A-图3E为本发明实施例一制作图形的工艺示意图;
图4为发明实现方式一中,像素区域在基板上的结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造