[发明专利]一种OLED像素单元、OLED显示面板及显示装置在审
申请号: | 201510064154.1 | 申请日: | 2015-02-06 |
公开(公告)号: | CN104617130A | 公开(公告)日: | 2015-05-13 |
发明(设计)人: | 吴长晏;辛龙宝;林俊杰;上官荣刚 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 像素 单元 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种OLED像素单元,包括相对设置的阳极层与阴极层;其特征在于,所述阳极层与所述阴极层相对的区域包括依次排列的第一子像素区域、第二子像素区域、第三子像素区域以及第四子像素区域;依次远离所述阳极层或所述阴极层设置有:
至少覆盖所述第一子像素区域与所述第四子像素区域的第一发光层;
覆盖除所述第一子像素区域外的电荷阻挡层;
覆盖除所述第三子像素区域外的第二发光层;
至少覆盖包括所述第三子像素区域在内的相邻两个子像素区域的第三发光层;
其中,针对所述第一发光层、所述电荷阻挡层、所述第二发光层以及所述第三发光层依次远离所述阳极层设置的情况,所述电荷阻挡层的主体材料、所述第三发光层的主体材料、所述第二发光层的主体材料以及所述第一发光层的主体材料的最低未占轨道LUMO能级依次降低;
针对所述第一发光层、所述电荷阻挡层、所述第二发光层以及所述第三发光层依次远离所述阴极层设置的情况,所述电荷阻挡层的主体材料、所述第三发光层的主体材料、所述第二发光层的主体材料以及所述第一发光层的主体材料的最高已占轨道HOMO能级依次升高。
2.根据权利要求1所述的OLED像素单元,其特征在于,所述第一发光层、所述电荷阻挡层、所述第二发光层以及所述第三发光层依次远离所述阳极层设置;
其中,所述第一发光层覆盖四个子像素区域;
所述第三发光层覆盖所述第二子像素区域与所述第三子像素区域;或者,所述第三发光层覆盖除所述第一子像素区域之外的区域。
3.根据权利要求1所述的OLED像素单元,其特征在于,所述第一发光层、所述电荷阻挡层、所述第二发光层以及所述第三发光层依次远离所述阳极层;
其中,所述第一发光层覆盖所述第一子像素区域与所述第四子像素区域;
所述第三发光层覆盖所述第二子像素区域与所述第三子像素区域。
4.根据权利要求1所述的OLED像素单元,其特征在于,所述第一发光层、所述电荷阻挡层、所述第二发光层以及所述第三发光层依次远离所述阴极层设置;
其中,所述第一发光层覆盖四个子像素区域;
所述第三发光层覆盖所述第二子像素区域与所述第三子像素区域;或者,所述第三发光层覆盖除所述第一子像素区域之外的区域。
5.根据权利要求1所述的OLED像素单元,其特征在于,所述第一发光层、所述电荷阻挡层、所述第二发光层以及所述第三发光层依次远离所述阴极层设置;
其中,所述第一发光层覆盖所述第一子像素区域与所述第四子像素区域;
所述第三发光层覆盖所述第二子像素区域与所述第三子像素区域。
6.根据权利要求1至5任一项所述的OLED像素单元,其特征在于,所述OLED像素单元还包括:空穴传输层和/或电子传输层;
其中,针对所述第一发光层、所述电荷阻挡层、所述第二发光层以及所述第三发光层依次远离所述阳极层设置的情况,所述空穴传输层位于所述阳极层与所述第一发光层之间;和/或,所述电子传输层位于所述第三发光层与所述阴极层之间;
针对所述第一发光层、所述电荷阻挡层、所述第二发光层以及所述第三发光层依次远离所述阴极层设置的情况,所述空穴传输层位于所述阳极层与所述第三发光层之间;和/或,所述电子传输层位于所述第一发光层与所述阴极层之间。
7.根据权利要求1至5任一项所述的OLED像素单元,其特征在于,所述第一发光层、所述第二发光层以及所述第三发光层共发出三种颜色的光,且所述三种颜色包括红色、绿色以及蓝色。
8.根据权利要求1至5任一项所述的OLED像素单元,其特征在于,所述阳极层采用透明导电材料;所述阴极层采用金属材料。
9.一种OLED显示面板,其特征在于,包括如权利要求1至8任一项所述的OLED像素单元。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求9所述的OLED显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的