[发明专利]一种超快速制备高性能In4Se3基热电材料的方法

权利要求书

1.一种超快速制备In₄Se₃基热电材料的方法，其特征在于它以In₄Se₃基热电材料中各元素的化学计量比称取各单质粉末作为原料，采用微力诱导化学反应得到 In₄Se₃基热电材料粉体；所述微力诱导化学反应的条件为：研磨。

2.根据权利要求1所述的一种超快速制备In₄Se₃基热电材料的方法，其特征在于其具体包括如下步骤：

1）按In₄Se₃基热电材料中各元素的化学计量比称量单质粉体作为原料，混合均匀，即为反应物；

2）微力诱导化学反应：对步骤1）所得反应物进行研磨，直至发生强烈的发光现象，继而研磨至无发光现象，即得到In₄Se₃基热电材料粉体。

3.根据权利要求2所述的一种超快速制备In₄Se₃基热电材料的方法，其特征在于将所述In₄Se₃基热电材料粉体进行放电等离子烧结，制备得到高性能In₄Se₃基块体热电材料。

4.根据权利要求3所述的一种超快速制备In₄Se₃基热电材料的方法，其特征在于所述的放电等离子体烧结的条件为：烧结温度为400-500℃，烧结压力为30-50MPa，保温时间为2-5 min。

5.权利要求1-4之一所述方法制备得到的In₄Se₃基热电材料。

6.根据权利要求5所述的In₄Se₃基热电材料，其特征在于所述In₄Se₃基热电材料， 250℃时，热电性能ZT_max能够达到0.48。