[发明专利]镀金铜热电极的制作和在温度可控H2O2传感器上的应用有效
| 申请号： | 201510065572.2 | 申请日： | 2015-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN104614429B | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 吴韶华;陈亮;汤优;孙建军;王芳芳 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | G01N27/327 | 分类号： | G01N27/327 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 镀金 电极 制作 温度 可控 sub 传感器 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种镀金铜热电极的应用，其特征在于：所述的镀金铜热电极应用于制作温度可控H2O2传感器；所述的镀金铜热电极上修饰G-四链体-hemin DNA酶；其中镀金铜热电极是通过以下制作方法获得的：包括步骤：将铜热电极在50~60℃镀镍液中以搅拌速度为1000r/min、电流密度为2 A/dm2进行恒电流沉积镍600s，再在3 mM 氯金酸溶液和0.1M NaNO3溶液的混合溶液中室温下以-0.6V 恒电位沉积金400s。
2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于：室温下镀金铜热电极修饰1µM 捕获探针CP 14 h，得Au-CP修饰电极；用超纯水冲洗干净，在2 mM巯基己醇浸泡1 h，得Au-CP-MCH修饰电极；在E-buffer缓冲液中浸泡1 h，再在20 µM 氯化血红素室温下修饰1h，得Au-CP-MCH-hemin修饰电极，即在镀金铜热电极上修饰G-四链体-hemin DNA酶。
3.根据权利要求2所述的应用，其特征在于：捕获探针CP的序列为：5′-HS-(CH2)6-TTTGGGTAGGGCGGGTTGGG-3′。
4.根据权利要求2所述的应用，其特征在于：所述的E-buffer缓冲液：HEPES 10 mM、KCl 50 mM，pH=7.2。
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