[发明专利]用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201510067700.7 | 申请日： | 2015-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN104659209B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 朱小芹;潘佳浩;吴小丽;胡益丰;薛建忠;袁丽;吴卫华;张建豪;江向荣 | 申请（专利权）人： | 江苏理工学院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C14/35 |
| 代理公司： | 常州市江海阳光知识产权代理有限公司32214 | 代理人： | 孙培英 |
| 地址： | 213001 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储器 gesb 基掺氮 纳米 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料，其特征在于：化学组成通式为（Ge10Sb90）xN1-x，其中x=0.55～0.80。
2.一种如权利要求1所述的用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
①基片的准备，将基片洗净烘干待用；
②磁控溅射的准备，在磁控溅射镀膜系统中，将步骤①洗净的待溅射的基片放置在基托上，将Ge10Sb90合金靶材安装在磁控射频溅射靶中，并将磁控溅射镀膜系统的溅射腔室进行抽真空；
③（Ge10Sb90）xN1-x纳米薄膜材料的制备，向溅射腔室通入高纯氩气和高纯氮气作为溅射气体，高纯氩气和高纯氮气的总流量为30sccm，溅射气压为0.15Pa～0.35Pa；首先清洁Ge10Sb90靶材表面，待Ge10Sb90靶材表面清洁完毕后，关闭Ge10Sb90靶上所施加的射频电源，将待溅射的SiO2/Si（100）基片旋转到Ge10Sb90靶位，然后开启Ge10Sb90靶位射频电源，开始溅射得到（Ge10Sb90）xN1-x纳米薄膜材料。
3.根据权利要求2所述的用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料的制备方法，其特征在于：步骤②将靶材安装在磁控射频溅射靶中后，将磁控溅射镀膜系统的溅射腔室进行抽真空直至腔室内真空度达到1×10-4 Pa。
4.根据权利要求3所述的用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料的制备方法，其特征在于：步骤③中高纯氮气的流量为1sccm～9sccm。
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