[发明专利]用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法

权利要求书

1.一种用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料，其特征在于：化学组成通式为（Sb₇₀Se₃₀）_xN_1-x，其中x=0.69～0.75。

2.根据权利要求1所述的用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料，其特征在于：x=0.70～0.74。

3.一种如权利要求1所述的用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

①基片的准备，将基片洗净烘干待用；

②磁控溅射的准备，在磁控溅射镀膜系统中，将步骤①洗净的待溅射的基片放置在基托上，将Sb₇₀Se₃₀合金靶材安装在磁控射频溅射靶中，并将磁控溅射镀膜系统的溅射腔室进行抽真空；

③（Sb₇₀Se₃₀）_xN_1-x纳米薄膜材料的制备，向溅射腔室通入高纯氩气和高纯氮气作为溅射气体，高纯氩气和高纯氮气的总流量为30sccm，溅射气压为0.15Pa～0.35Pa；首先清洁Sb₇₀Se₃₀靶材表面，待Sb₇₀Se₃₀靶材表面清洁完毕后，关闭Sb₇₀Se₃₀靶上所施加的射频电源，将待溅射的SiO₂/Si（100）基片旋转到Sb₇₀Se₃₀靶位，然后开启Sb₇₀Se₃₀靶位射频电源，开始溅射得到（Sb₇₀Se₃₀）_xN_1-x纳米薄膜材料。

4.根据权利要求3所述的用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料的制备方法，其特征在于：步骤②将靶材安装在磁控射频溅射靶中后，将磁控溅射镀膜系统的溅射腔室进行抽真空直至腔室内真空度达到1×10^-4 Pa。

5.根据权利要求4所述的用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料的制备方法，其特征在于：步骤③中高纯氮气的流量为1sccm～4sccm。