[发明专利]一种改善量子点发光二极管寿命的方法

权利要求书

1.一种改善量子点发光二极管寿命的方法，其特点在于，作为发光层的量子点的壳体积是核体积的72倍；

在旋涂有空穴注入层和空穴传输层的ITO电极上涂覆一定浓度的“巨壳型”量子点溶液作为发光层，再依次涂覆相应的电子传输层、背电极就得到了 “巨壳型”量子点发光二极管，

所述得到空穴传输层的方法为：将旋涂好PEDOT:PSS薄膜的ITO玻璃基片在空气中于150℃干燥15min，然后将其转移至手套箱中旋涂质量浓度为1.5wt%的TFB氯苯溶液40nm作为空穴传输层，并在手套箱中110℃干燥30min；

所述得到发光层的方法为：继续旋涂浓度为18mg/mL的蓝色“巨壳型”量子点ZnCdSe/ZnS作为发光层；

所述得到电子传输层的方法为：采用旋涂的方法制备厚度为32nm的氧化锌电子传输层。

2.如权利要求1所述改善量子点发光二极管寿命的方法，其特点在于，所选用量子点的核和壳层材料还可以为CdSe/ZnS、CdSe/ZnCdS/ZnS、CdSe/CdS或ZnCdSe/ZnSe/ZnS。

3.如权利要求1所述改善量子点发光二极管寿命的方法，其特点在于，包括以下步骤：在ITO玻璃上以2000－6000转/分钟的转速依次旋涂或以2－3nm/s蒸发速率真空沉积空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层和电子传输层，然后采用真空沉积的方法制备背电极，即得。

4.如权利要求3所述改善量子点发光二极管寿命的方法，其特点在于，所述的空穴传输层还可以为Poly-TPD，所述的电子传输层还可以为TiO₂。