[发明专利]一种无残余应力薄膜及其制备方法和在纳米压痕法中应用有效
| 申请号： | 201510069498.1 | 申请日： | 2015-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN104729897B | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 王海斗;徐滨士;金国;刘金娜 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军装甲兵工程学院 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N3/42 |
| 代理公司： | 北京华圣典睿知识产权代理有限公司 11510 | 代理人： | 陈国伟 |
| 地址： | 100072 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 残余 应力 薄膜 及其 制备 方法 纳米 压痕 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种无残余应力薄膜的制备方法，其具体步骤如下：
(1)利用PVD或者CVD薄膜沉积在单晶晶体上；
(2)将薄膜试样置于薄膜支架上；所述薄膜支架包括底架和固定架两部分；所述底架为矩形台，其中间开有正方形凹槽，所述凹槽底部开有第一圆形通孔，所述固定架正好与所述底架上的正方形凹槽相匹配，其上开有第二圆形通孔，所述第一圆形通孔与第二圆形通孔为相同大小的同心圆结构；所述薄膜试样放置于正方形凹槽处；
(3)将带有试样的薄膜支架放置于能够溶解晶体的溶液中并使晶体溶解；
(4)待晶体完全溶解后，将薄膜和所述底架一起取出干燥，再将所述固定架覆盖在底架上面固定薄膜试样，得无残余应力薄膜。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述单晶为NaCl晶体。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述能够溶解晶体的溶液为离子水与酒精按1∶3的比例混合的溶液。
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