[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201510069668.6 | 申请日: | 2015-02-10 |
公开(公告)号: | CN104851825B | 公开(公告)日: | 2018-03-23 |
发明(设计)人: | 八木胡桃 | 申请(专利权)人: | 斯克林集团公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 宋晓宝,向勇 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,具有旋转卡盘、遮断构件、上非活性气体供给单元、杯和排气单元,
所述旋转卡盘具有:
圆板状的旋转基座,具有配置在基板的下方的圆形的上表面和外径大于基板的外径的外周面,
多个卡盘销,以基板的下表面和所述旋转基座的所述上表面在上下方向上隔开间隔相向的方式将基板保持为水平,
旋转马达,使所述旋转基座以及多个卡盘销围绕通过由所述多个卡盘销保持的基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转;
所述遮断构件具有配置在由所述旋转卡盘保持的基板的上方的相向面和围绕所述旋转轴线包围由所述旋转卡盘保持的基板的内周面,所述内周面的下端配置在所述旋转基座的周围,从所述内周面的下端到所述旋转基座的所述外周面的径向的距离在从由所述旋转卡盘保持的基板的上表面到所述相向面的铅垂方向的距离以上;
所述上非活性气体供给单元从在所述遮断构件的所述相向面开口的向下喷出口向下方喷出非活性气体;
所述杯围绕所述旋转轴线包围所述旋转基座并向上开放;
所述排气单元将所述杯内的气体向所述杯的外部排出,
所述杯具有使包围所述旋转轴线的环状的间隙形成在所述杯和所述遮断构件之间的环状的杯上端部,
所述杯上端部和所述遮断构件之间的最短距离小于从所述遮断构件的所述内周面的下端到所述旋转基座的所述外周面的径向的距离。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
该基板处理装置还具有遮断构件旋转单元,该遮断构件旋转单元使所述遮断构件围绕所述旋转轴线向与由所述旋转卡盘保持的基板相同的方向旋转。
3.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述杯上端部和所述遮断构件之间的所述环状的间隙具有使向所述杯内吸引的气体流入的环状流入口、将流入所述环状流入口的气体向所述杯的内部排出的环状流出口和从所述环状流入口延伸至所述环状流出口的环状流路,
所述环状流路从所述环状流出口向上方延伸。
4.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述杯上端部和所述遮断构件之间的所述环状的间隙具有使向所述杯内吸引的气体流入的环状流入口、将流入所述环状流入口的气体向所述杯的内部排出的环状流出口和从所述环状流入口延伸到所述环状流出口的环状流路,
所述环状流路具有截面呈L字状的角部。
5.如权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
所述遮断构件具有:
圆板部,配置在由所述旋转卡盘保持的基板的上方,
圆筒部,围绕所述旋转轴线包围由所述旋转卡盘保持的基板,
环状的伸出部,比所述圆筒部的下端靠外侧;
所述杯上端部在径向上隔开间隔围绕所述旋转轴线包围所述圆筒部,并且以在上下方向上隔开间隔与所述伸出部相向的方式配置在所述伸出部的下方。
6.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述遮断构件的所述内周面具有从所述遮断构件的所述相向面向斜下外侧延伸的环状的内倾斜部。
7.如权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,
所述遮断构件的所述环状的内倾斜部和所述旋转基座的上表面的外周端之间的径向的距离,在从由所述旋转卡盘保持的基板的上表面到所述遮断构件的所述相向面的铅垂方向的距离以上。
8.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
该基板处理装置还具有:
下非活性气体供给单元,从在所述旋转基座的所述上表面开口的向上喷出口向上方喷出非活性气体;
控制装置,以在从所述遮断构件的所述向下喷出口喷出非活性气体的状态下,从所述旋转基座的所述向上喷出口喷出非活性气体的方式,对所述上非活性气体供给单元以及下非活性气体供给单元进行控制。
9.如权利要求8所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板处理装置还具有向所述多个卡盘销上放置基板的搬送机械手,
所述控制装置以在从所述旋转基座的所述向上喷出口喷出非活性气体的状态下,将基板放置在所述多个卡盘销上的方式,对所述搬送机械手以及下非活性气体供给单元进行控制。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造