[发明专利]一种制备表面增强拉曼光谱基底的方法及其基底

权利要求书

1.一种制备表面增强拉曼光谱基底的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，提供基片层；

S2，在所述基片层上通过蒸镀或溅射形成粘附层；

S3，在所述粘附层上通过蒸镀或溅射形成金属薄膜层；

S4，在所述金属薄膜层上通过蒸镀或溅射或化学气相沉积或薄膜湿法转移形成绝缘层；以及

S5，在所述绝缘层上通过X射线干涉光刻形成金属纳米结构阵列；

其中，所述步骤S5包括以下子步骤：

S51，在所述绝缘层上旋涂光刻胶；

S52，在120-180℃下蒸发所述光刻胶中的水分以提高所述光刻胶的灵敏度；

S53，X射线干涉曝光以在绝缘层上形成有序纳米结构的表面；

S54，用显影液显影去掉所述光刻胶上被曝光的部分；

S55，固化显影后的光刻胶，提高图形分辨率；

S56，在有序纳米结构的表面沉积金属薄膜层；以及

S57，去除多余的金属和光刻胶，从而形成金属纳米结构阵列层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，基片通过氧气等离子体轰击以去除基片表面有机物形成所述基片层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基片以超声波进行表面清洗，然后在烘干后用氧气等离子体轰击。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述超声波频率为20～50Hz，氧气流量为1～25sccm，等离子体功率为30～100W。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻胶为聚甲基丙烯酸甲酯或者氢倍半硅氧烷。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述蒸镀为热蒸镀，或者所述溅射为磁控溅射、电子溅射或离子溅射。

7.一种根据上述任意一项权利要求制备的表面增强拉曼光谱基底，其特征在于，所述表面增强拉曼光谱基底包括依次设置的基片层、粘附层、金属薄膜层、绝缘层和金属纳米结构阵列层。

8.根据权利要求7所述的表面增强拉曼光谱基底，其特征在于，所述粘附层的材料为铬或钛。

9.根据权利要求7所述的表面增强拉曼光谱基底，其特征在于，所述金属薄膜层的材料为金、银或铜。

10.根据权利要求7所述的表面增强拉曼光谱基底，其特征在于，所述绝缘层的材料为二氧化硅、二氧化钛或氧化铝。

11.根据权利要求7所述的表面增强拉曼光谱基底，其特征在于，所述金属纳米结构阵列层的材料为金、银或铜。

12.根据权利要求7所述的表面增强拉曼光谱基底，其特征在于，所述基片层的材料为单晶硅、多晶硅、二氧化硅或玻璃。