[发明专利]一种白光发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种白光发光二极管，其特征在于，包括从下至上依次层叠接触的n型氮化镓薄膜(3)、锑掺杂p型氧化锌纳米线阵列(2)和正电极(1)，其中，所述n型氮化镓薄膜(3)与所述锑掺杂p型氧化锌纳米线阵列(2)接触而形成异质结，以作为白光发光层，所述正电极(1)与所述锑掺杂p型氧化锌纳米线阵列(2)接触作为工作正电极，所述n型氮化镓薄膜(3)上设置有负电极(4)，该负电极与所述n型氮化镓薄膜(3)接触以作为工作负电极。

2.根据权利要求1所述的一种白光发光二极管，其特征在于，所述正电极采用金属铟。

3.根据权利要求1或2所述的一种白光发光二极管，其特征在于，所述负电极采用铟金电极。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的一种白光发光二极管，其特征在于，所述的锑掺杂p型氧化锌纳米线阵列垂直生长在n型氮化镓薄膜上。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的一种白光发光二极管，其特征在于，所述白光发光二极管的发光波段从400nm到1000nm。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的一种白光发光二极管，其特征在于，所述n型氮化镓薄膜(3)底面设置有衬底(5)，优选为蓝宝石。

7.一种白光发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：

1)制备具有衬底的n型氮化镓薄膜基底；

2)在所述n型氮化镓薄膜上溅射金颗粒作为反应的催化剂；

3)在所述n型氮化镓薄膜上生长锑掺杂p型氧化锌纳米线阵列，从而与所述n型氮化镓薄膜形成作为白光发光层的异质结；

4)在所述锑掺杂p型氧化锌纳米线阵列的顶部设置金属铟，从而与所述n型氮化镓薄膜接触以作为正电极；

5)在所述n型氮化镓薄膜表面设置铟金电极，从而与所述n型氮化镓薄膜表面接触以作为负电极；

6)对所述正负电极进行热处理后即可形成上述白光发光二极管。

8.根据权利要求7所述的一种白光发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中，采用化学气相沉积法在n型氮化镓薄膜上生长锑掺杂p型氧化锌纳米线阵列。