[发明专利]一种电子产品用多晶透明陶瓷的制备方法

权利要求书

1.一种电子产品用多晶透明陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1、多晶透明陶瓷切割；2、磨边处理；3、磨平；4、退火；5、抛光；6、清洗；7、镀膜，在步骤3中还包括下述工序：

a、等离子蚀刻表面去损伤层去应力，将多晶透明陶瓷半成品平放于等离子蚀刻机的蚀刻腔内，关闭腔盖，将蚀刻腔抽真空至0.001Tor后，充入蚀刻气体和辅助气体，蚀刻气体体积流量为40-150sccm，辅助气体体积流量为4-30sccm，偏压设定为-100--600V，蚀刻时间为1-6分钟，蚀刻完毕后将多晶透明陶瓷半成品取出，依次进行浸泡清洗和烘干；

b、溶液腐蚀边缘，将烘干后的多晶透明陶瓷半成品放入装有浓度为60-80％的KOH溶液的腐蚀槽中，溶液温度为200-350℃，腐蚀1-3小时后将多晶透明陶瓷半成品从槽中取出，静置30分钟，然后依序进行清洗和烘干。

2.根据权利要求1所述的一种电子产品用多晶透明陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤1中所述的切割方法包括线切割、激光切割、金刚石砂轮切割和金刚石薄片切割，激光切割包括形状切割和打孔。

3.根据权利要求1所述的一种电子产品用多晶透明陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤2中所述的磨边处理具体步骤为：将多晶透明陶瓷毛坯片置于CNC机台的夹具上，选取700-1100目、45°金刚石磨边磨头，设定转速为500-900转/分钟，进给为0.01-0.06mm/min，磨头移动速度为50-90mm/min，磨边量0.2mm，磨边时间为4-9分钟，制成多晶透明陶瓷半成品。

4.根据权利要求3所述的一种电子产品用多晶透明陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤3中所述的磨平具体步骤为：将磨边后的多晶透明陶瓷半成品进行清洗，将清洗干净后的多晶透明陶瓷半成品按顺序摆放入游星轮，用粒度为150-300目的碳化硼粉、金刚砂粉、氮化硼粉或碳化硅粉按照重量百分比为30-60％的比例与水混合作为磨液，磨盘为16B铜盘，磨转速控制在800-1200转/分，时间10-25分钟，去除量60-110um，磨后的多晶透明陶瓷半成品放超声波清洗槽进行清洗。

5.根据权利要求1所述的一种电子产品用多晶透明陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤4中所述的退火温度≥1200℃，以消除加工应力。

6.根据权利要求1所述的一种电子产品用多晶透明陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤5中所述的抛光包括2.5D(倒角或圆倒角)/3D抛光，使用抛光液进行抛光处理，使毛片表面达到nm或埃级别，抛光完成后得到精片。

7.根据权利要求1所述的一种电子产品用多晶透明陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤6中所述的清洗使用酸、碱溶液或有机溶剂去除精片表面颗粒、杂质或有机物，清洗完成并晾干。

8.根据权利要求1所述的一种电子产品用多晶透明陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤7中所述的镀膜包括单面镀膜和双面镀膜，以达到增透、防指纹的目的，未镀膜的多晶透明陶瓷透光率为84％，单面镀膜透光率大于90％、双面镀膜透光率大于98％，具体步骤为将晾干后的精片放入镀膜机，按照设计的膜系单面或双面进行增透膜镀膜，膜的层数为1-15层。

9.根据权利要求1所述的一种电子产品用多晶透明陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤a中在将多晶透明陶瓷半成品进行等离子蚀刻之前，还包括下述步骤：将超声清洗后的多晶透明陶瓷半成品放恒温烘箱进行16-28小时的烘干，烘干后浸泡丙酮溶液去除表面残留油污，浸泡后用氮气枪将衬底片吹干。

10.根据权利要求1所述的一种电子产品用多晶透明陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤a中所述的蚀刻气体为氯基气体、溴基或氟基气体；所述辅助气体为氩气或氮气。

11.根据权利要求1所述的一种电子产品用多晶透明陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤a中所述的等离子蚀刻机的使用环境为百级恒温恒湿无尘室，室内恒温至22-26℃，相对湿度为55％-75％。

12.根据权利要求1-11任一项所述的一种电子产品用多晶透明陶瓷的制备方法，其特征在于，所述多晶透明陶瓷包括镁铝尖晶石、钇铝石榴石、氧化钇或氮氧化铝。