[发明专利]熔线和熔线编程方法

权利要求书

1.一种熔线，包括：

第一熔线链；

与第一熔线链串联耦合的第二熔线链；以及

耦合在第一和第二熔线链之间并且被布置在与第一和第二熔线链相同的层次中的连接元件。

2.根据权利要求1所述的熔线，其中所述连接元件具有非最小特征大小。

3.根据权利要求1所述的熔线，其中所述连接元件的横截面面积大于所述第一熔线链的横截面面积并且大于所述第二熔线链的横截面面积。

4.根据权利要求1所述的熔线，还包括：

第一端子区域和第二端子区域，

其中所述第一熔线链、所述第二熔线链和所述连接元件耦合在所述第一和第二端子区域之间。

5.根据权利要求1所述的熔线，还包括与所述第二熔线链串联耦合的至少一个附加熔线链。

6.根据权利要求1所述的熔线，其中所述第一和第二熔线链中的至少一个包括多晶硅。

7.一种熔线，包括：

第一熔线链；

与所述第一熔线链串联耦合的第二熔线链，

其中所述第一和第二熔线链中的至少一个包括多晶硅。

8.根据权利要求7所述的熔线，还包括：

第一端子区域和第二端子区域，

其中所述第一和第二熔线链耦合在所述第一和第二端子区域之间。

9.根据权利要求8所述的熔线，其中所述第一端子区域的横截面面积大于所述第一熔线链的横截面面积，并且其中所述第二端子区域的横截面面积大于所述第二熔线链的横截面面积。

10.根据权利要求7所述的熔线，还包括：

耦合在所述第一和第二熔线链之间的至少一个连接元件。

11.根据权利要求10所述的熔线，其中所述至少一个连接元件被布置在与所述第一和第二熔线链相同的层次中。

12.根据权利要求10所述的熔线，其中所述至少一个连接元件被布置在与所述第一和第二熔线链不同的层次中。

13.根据权利要求10所述的熔线，其中所述至少一个连接元件被布置在所述第一和第二熔线链之上和之下中的至少一个处的金属化层次中。

14.根据权利要求7所述的熔线，其中所述第一和第二熔线链中的至少一个包括多晶硅层和在所述多晶硅层的表面处的硅化物层。

15.根据权利要求7所述的熔线，其中所述第一和第二熔线链包括多晶硅，并且其中所述第一和第二熔线链中的一个的多晶硅包括掺杂多晶硅，并且所述第一和第二熔线链中的另一个的多晶硅包括未掺杂多晶硅。

16.根据权利要求7所述的熔线，其中所述第一和第二熔线链包括多晶硅，并且其中所述第一和第二熔线链中的一个的多晶硅包括n掺杂多晶硅，并且所述第一和第二熔线链中的另一个的多晶硅包括p掺杂多晶硅。

17.一种熔线，包括：

第一熔线链；

与所述第一熔线链串联耦合的第二熔线链；以及

耦合在所述第一和第二熔线链之间的至少一个不可熔连接元件，所述连接元件具有非最小特征大小并且被布置在所述第一和第二熔线链之上和之下中的至少一个处的金属化层次中。

18.根据权利要求17所述的熔线，其中所述至少一个不可熔连接元件的横截面面积大于所述第一熔线链的横截面面积并且大于所述第二熔线链的横截面面积。

19.根据权利要求17所述的熔线，其中所述连接元件被配置为具有横向电流流动。

20.根据权利要求17所述的熔线，还包括：

第一端子区域和第二端子区域，

其中所述第一熔线链、所述第二熔线链和所述至少一个不可熔连接元件耦合在所述第一和第二端子区域之间。

21.根据权利要求20所述的熔线，其中所述第一端子区域的横截面面积大于所述第一熔线链的横截面面积，并且其中所述第二端子区域的横截面面积大于所述第二熔线链的横截面面积。