[发明专利]晶片封装体及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201510071815.3 申请日: 2015-02-11
公开(公告)号: CN104835793B 公开(公告)日: 2018-03-23
发明(设计)人: 郑家明;刘沧宇;廖季昌;黄玉龙 申请(专利权)人: 精材科技股份有限公司
主分类号: H01L23/14 分类号: H01L23/14;H01L21/56;H01L21/60
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 代理人: 刘新宇
地址: 中国台湾桃园市中*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 晶片 封装 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种晶片封装体,其特征在于,包括:

一半导体基底;

一凹口,位于该半导体基底内,其中该半导体基底具有至少一间隔部,该至少一间隔部突出于该凹口的一底部,且该至少一间隔部与该半导体基底直接接触;以及

一导线,设置于该半导体基底上,且延伸至该凹口内。

2.根据权利要求1所述的晶片封装体,其特征在于,该至少一间隔部的高度等于或小于该凹口的深度。

3.根据权利要求1所述的晶片封装体,其特征在于,该凹口邻接该半导体基底的一侧边,且该至少一间隔部沿着该导线的延伸方向而延伸至该侧边。

4.根据权利要求1所述的晶片封装体,其特征在于,还包括另一导线,该另一导线延伸至该凹口内,其中该至少一间隔部位于该导线与该另一导线之间。

5.根据权利要求1所述的晶片封装体,其特征在于,该半导体基底包括间隔排列的多个间隔部,且该导线延伸至所述间隔部中的两者之间。

6.根据权利要求5所述的晶片封装体,其特征在于,还包括另一导线,该另一导线延伸至该凹口内,其中所述间隔部中的至少一个位于该导线与该另一导线之间。

7.根据权利要求5所述的晶片封装体,其特征在于,所述间隔部之间具有相同或不同的间距。

8.根据权利要求1所述的晶片封装体,其特征在于,该凹口延伸至该半导体基底的边缘。

9.根据权利要求1所述的晶片封装体,其特征在于,该半导体基底包括多个凹口,所述凹口邻接该半导体基底的不同侧边,且该晶片封装体包括多个导线,所述导线分别延伸至所述凹口内,且对于该半导体基底的中心而言,所述导线的其中一个与另一个具有非对称的配置方式。

10.一种晶片封装体,其特征在于,包括:

一半导体基底;

一凹口,位于该半导体基底内且邻接该半导体基底的一侧边并横跨该侧边,其中该凹口的一侧壁具有一第一部分及与该第一部分邻接的一第二部分,该第一部分不会接触到该半导体基底的任何侧边,且从俯视方向来看,该第一部分与该侧边之间的一第一距离大于该第二部分与该侧边之间的一第二距离;以及

一导线,设置于该半导体基底上,且延伸至该凹口内。

11.根据权利要求10所述的晶片封装体,其特征在于,该凹口的该侧壁还包括一第三部分,该第三部分邻接于该第二部分,且从俯视方向来看,该第三部分与该侧边之间的一第三距离相同或不同于该第一距离。

12.根据权利要求10所述的晶片封装体,其特征在于,该凹口还横跨该半导体基底中与该侧边相邻的至少一侧边。

13.根据权利要求12所述的晶片封装体,其特征在于,该凹口具有横跨该至少一侧边的另一侧壁,且该另一侧壁具有一第一部分及与该第一部分邻接的一第二部分,且从俯视方向来看,该另一侧壁的该第一部分与该至少一侧边之间的一第三距离不同于该另一侧壁的该第二部分与该至少一侧边之间的一第四距离。

14.根据权利要求13所述的晶片封装体,其特征在于,该第三距离或该第四距离相同或不同于该第二距离。

15.根据权利要求10所述的晶片封装体,其特征在于,还包括另一凹口,该另一凹口位于该半导体基底内且与相对于该侧边的另一侧边邻接并横跨该另一侧边。

16.根据权利要求15所述的晶片封装体,其特征在于,该另一凹口的一侧壁具有一第一部分及与该第一部分邻接的一第二部分,且从俯视方向来看,该另一凹口的该侧壁的该第一部分与该另一侧边之间的一第三距离不同于该另一凹口的该侧壁的该第二部分与该另一侧边之间的一第四距离。

17.根据权利要求16所述的晶片封装体,其特征在于,该第三距离或该第四距离相同或不同于该第二距离。

18.根据权利要求10所述的晶片封装体,其特征在于,该半导体基底包括至少一间隔部,该至少一间隔部突出于该凹口的一底部。

19.根据权利要求18所述的晶片封装体,其特征在于,还包括另一导线,该另一导线延伸至该凹口内,其中该至少一间隔部位于该导线与该另一导线之间。

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