[发明专利]半导体阵列探测器及其封装方法有效
申请号: | 201510072016.8 | 申请日: | 2015-02-10 |
公开(公告)号: | CN104617162B | 公开(公告)日: | 2017-11-10 |
发明(设计)人: | 徐恒;龚岚;黄成刚;张晓栋 | 申请(专利权)人: | 四川中测辐射科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/18 |
代理公司: | 四川省成都市天策商标专利事务所51213 | 代理人: | 曾娟 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 阵列 探测器 及其 封装 方法 | ||
1.一种半导体阵列探测器的封装方法,其特征在于:所的封装方法包括以下步骤:
步骤1,将光电二极管芯片贴入陶瓷基座的凹槽内,并且将所述光电二极管的引脚与所述陶瓷基座的预设引脚焊接;
步骤2,将CaF2(Eu)片通过透明的粘结介质粘结在光电二极管的芯片上表面;
步骤3,用黑色绝缘电子灌封胶浇注陶瓷基座的凹槽,使其密封。
2.根据权利要求1所述的半导体阵列探测器的封装方法,其特征在于所述的步骤3之后还包括:待所述黑色绝缘电子灌封胶固化后,对所述半导体阵列探测器的通信情况进行测试。
3.一种半导体阵列探测器,包括光电二极管芯片和CaF2(Eu)片,其特征在于所述的半导体阵列探测器还包括如权利要求1或2所述的陶瓷基座,所述陶瓷基座设置有凹槽,所述陶瓷基座两侧设置有预设引脚;所述光电二极管芯片贴合在所述凹槽底部,所述光电二极管芯片的引脚与所述预设引脚焊接;所述CaF2(Eu)片通过透明粘接介质粘接在所述光电二极管上表面;所述陶瓷基座的凹槽通过黑色绝缘电子灌封胶密封。
4.根据权利要求3所述的半导体阵列探测器,其特征在于所述的陶瓷基座为方形结构。
5.根据权利要求3所述的半导体阵列探测器,其特征在于所述的陶瓷基座的预设引脚设置有偶数个,所述偶数个预设引脚对称设置在所述陶瓷基座两侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的