[发明专利]一种D类放大器及其控制方法

权利要求书

1.一种D类放大器，所述D类放大器包括有误差积分器、PWM控制电路，功率放大电路，其特征在于，所述误差积分器包括第一级误差放大器和第一级上积分晶体管，所述第一级误差放大器的两个输入端接收输入电信号，

所述第一级上积分晶体管的漏极和源极相连接，所述第一级上积分晶体管的漏极和源极的共连接点和所述第一级上积分晶体管的栅极中的一个与所述第一级误差放大器的第一输入端相连，另一个则与所述第一级误差放大器的第一输出端相连，

所述第一级误差放大器的共模输出端输出第一偏置电压信号,且在所述第一级误差放大器中，所述第一偏置电压信号与所述第一输出端输出的信号的大小相等；

并且，在所述D类放大器的工作过程中，控制所述第一偏置电压信号的大小，使得所述第一偏置电压信号与所述输入电信号之间相差预设的电压值，所述预设的电压值使得在所述D类放大器的工作过程中，所述第一级上积分晶体管的栅源电压差值始终大于所述第一级上积分晶体管的导通阈值电压，从而使得所述第一级上积分晶体管的MOS电容在所述D类放大器的工作过程中始终工作在强反型区，以稳定所述MOS电容的容值。

2.根据权利要求1所述的D类放大器，其特征在于，所述误差积分器还包括第一级下积分晶体管，所述第一级下积分晶体管与所述第一级上积分晶体管为相同的晶体管，并且，

所述第一级下积分晶体管连接在所述第一级误差放大器的第二输入端和第二输出端之间，其中，所述第一级下积分晶体管的漏极和源极相连接；

其中，所述第一级误差放大器的第二输出端与其第一输出端输出的电压信号相等。

3.根据权利要求2所述的D类放大器，其特征在于，所述第一级上积分晶体管的MOS电容和第一级下积分晶体管的MOS电容作为所述误差积分器的积分电容。

4.根据权利要求2所述的D类放大器，其特征在于，所述误差积分器进一步还包括第二级误差放大器和第二级上积分晶体管，所述第二级误差放大器的两个输入端分别通过中间电阻连接至所述第一级误差放大器的第一输出端和第二输出端；

所述第二级上积分晶体管连接在所述第二级误差放大器的第一输入端和第一输出端之间，其中，所述第二级上积分晶体管的漏极和源极相连接；

所述第二级误差放大器的共模输出端输出第二偏置电压信号；

其中，所述第二级误差放大器的第一输出端输出的电压与所述第二偏置电压信号相等，所述第一偏置电压信号与第二偏置电压信号相差预设的电压值以使得所述第二级上积分晶体管的MOS电容维持稳定。

5.根据权利要求4所述的D类放大器，其特征在于，所述第一偏置电压信号与第二偏置电压信号相差预设的电压值具体为所述第一偏置电压信号与所述第二偏置信号的电压差值大于等于所述第二级上积分晶体管的导通阈值电压。

6.根据权利要求4所述的D类放大器，其特征在于，所述误差积分器还包括第二级下积分晶体管，所述第二级下积分晶体管与所述第二级上积分晶体管为相同的晶体管，并且，

所述第二级下积分晶体管连接在所述第二级误差放大器的第二输入端和第二输出端之间，其中，所述第二级下积分晶体管的漏极和源极相连接；

所述第二级误差放大器的第二输出端与其第一输出端输出的电压信号相等。

7.根据权利要求6所述的D类放大器，其特征在于，所述第二级上积分晶体管的MOS电容和第二级下积分晶体管的MOS电容作为所述误差积分器的积分电容。

8.一种D类放大器的控制方法，所述D类放大器包括有误差积分器、PWM控制电路、功率放大电路，所述误差积分器包括第一级误差放大器和第一级上积分晶体管，所述第一级误差放大器的两个输入端接收输入电信号，其特征在于，包括，

所述第一级上积分晶体管的漏极和源极相连接，所述第一级上积分晶体管的漏极和源极的共连接点和所述第一级上积分晶体管的栅极中的一个与所述第一级误差放大器的第一输入端相连，另一个则与所述第一级误差放大器的第一输出端相连；

并且，在所述D类放大器的工作过程中，控制第一偏置电压信号的大小，使得所述第一偏置电压信号与所述输入电信号之间相差预设的电压值，所述预设的电压值使得在所述D类放大器的工作过程中，所述第一级上积分晶体管的栅源电压差值始终大于所述第一级上积分晶体管的导通阈值电压，从而使得所述第一级上积分晶体管的MOS电容在所述D类放大器的工作过程中始终工作在强反型区，以稳定所述MOS电容的容值，

其中所述第一偏置电压信号为所述第一级误差放大器的共模输出端输出信号，且在所述第一级误差放大器中，所述第一偏置电压信号与所述第一输出端输出的信号的大小相等。