[发明专利]具有基于MEMS技术的变抗器的锁相回路

权利要求书

1.一种锁相回路(1)，包括：

-相位检测器(2)；以及

-控制振荡器(4)，其中所述控制振荡器(4)设置有变抗器(5)，且所述变抗器(5)利用MEMS技术实现；

其特征在于，

所述锁相回路(1)的控制带宽(B_PLL)大于所述变抗器(5)的机械共振频率(f_mech)，

其中，所述变抗器(5)设置有致动器(52)，

其中，所述致动器(52)的第一致动器面(52a)形成在基底(51)上；

其中，所述致动器(52)的第二致动器面(52b)形成在可移动膜(53)上，

其中，所述可移动膜(53)为第一可移动膜(53a)，

其中，所述变抗器(5)还设置有第二可移动膜(53b)，以及

其中，所述第二致动器面(52b)形成在所述第一可移动膜(53a)和所述第二可移动膜(53b)上。

2.根据权利要求1所述的锁相回路(1)，其中所述控制带宽(B_PLL)大于所述机械共振频率(f_mech)的至少两倍。

3.根据权利要求2所述的锁相回路(1)，其中所述控制带宽(B_PLL)大于所述机械共振频率(f_mech)的至少五倍。

4.根据权利要求3所述的锁相回路(1)，其中所述控制带宽(B_PLL)大于所述机械共振频率(f_mech)的至少十倍。

5.根据权利要求4所述的锁相回路(1)，其中所述控制带宽(B_PLL)大于所述机械共振频率(f_mech)的至少五十倍。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的锁相回路(1)，其中，对于大于所述变抗器(5)的所述机械共振频率(f_mech)的频率，所述锁相回路(1)的相位噪声是单调下降的。

7.根据权利要求1至5中的任一项所述的锁相回路(1)，其中，在大于所述变抗器(5)的所述机械共振频率(f_mech)的频率处，所述锁相回路(1)的固有噪声分量小于所述控制振荡器(4)的固有噪声分量。

8.根据权利要求7所述的锁相回路(1)，其中，所述锁相回路(1)的固有噪声分量至少小于所述控制振荡器(4)的固有噪声分量的二分之一。

9.根据权利要求8所述的锁相回路(1)，其中，所述锁相回路(1)的固有噪声分量至少小于所述控制振荡器(4)的固有噪声分量的五分之一。

10.根据权利要求9所述的锁相回路(1)，其中，所述锁相回路(1)的固有噪声分量至少小于所述控制振荡器(4)的固有噪声分量的十分之一。

11.根据权利要求10所述的锁相回路(1)，其中，所述锁相回路(1)的固有噪声分量至少小于所述控制振荡器(4)的固有噪声分量的二十分之一。

12.根据权利要求11所述的锁相回路(1)，其中，所述锁相回路(1)的固有噪声分量至少小于所述控制振荡器(4)的固有噪声分量的一百分之一。

13.根据权利要求1至5中的任一项所述的锁相回路(1)，其中，对于高于所述变抗器(5)的所述机械共振频率(f_mech)的频率，所述锁相回路(1)的相位噪声以至少20分贝/十倍频下降。

14.根据权利要求13所述的锁相回路(1)，其中，所述锁相回路(1)的相位噪声以60分贝/十倍频下降。