[发明专利]一种电压可调的上电掉电复位电路

说明书

技术领域

本发明涉及射频电路技术领域，具体涉及一种电压可调的上电掉电复位电路。

背景技术

RFID技术应用越来越广泛。在RFID芯片的电路设计中，要求复位电路有效果更佳的复位电压波形，其中复位电路设计的优劣性能直接影响整个芯片的功能性能。对于RFID芯片而言，在给芯片上电之前，芯片内部的各个电路处于不工作状态，数字电路要进入工作状态需要复位信号唤醒，因此复位电路能否输出的复位信号的效果对数字电路产生直接影响，复位信号效果不佳可能直接造成数字电路的出现错误，甚至直接造成芯片无法工作，现有的上电掉电复位电路输出的电压受电源电压影响抖动且波形不够陡峭，不能产生比较理想的复位电压，可能会造成数字电路出现错误判断，因此提供一种效果好、能耗低的复位电路，产生理想的复位电压波形供给数字电路工作，是急需解决的技术问题。

发明内容

本发明的一个目的是解决至少上述问题和/或缺陷，并提供至少后面将说明的优点。

本发明还有一个目的是提供一种电压可调的上电掉电复位电路，其可以产生陡峭的输出电压波形，以供给数字电路工作，具有精度高、效果好、能耗低等优点。

为了实现根据本发明的这些目的和其它优点，提供了一种电压可调的上电掉电复位电路，其输出端连接芯片的数字电路，所述复位电路具有施密特整形电路，还包括：

检测电压电路，其用于检测所述芯片的电源电压；

反馈电路，其用于稳定以及调节复位电路的输出端的电压；

延迟缓冲电路，其用于将所述芯片的电源电压信号延迟缓冲传递至所述施密特整形电路；

其中，当所述施密特整形电路的输入端的电压达到上升或下降翻转电平后，所述复位电路的输出端的电压发生翻转；所述检测电压电路和所述反馈电路通过调制所述MOS晶体管的宽长比实现理想的上电掉电复位电压。

优选的是，所述的电压可调的上电掉电复位电路，所述检测电压电路包括第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管；所述第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管的栅极相连并连接基准电压源，作为所述检测电压电路的输入端，所述第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管的漏极相连，作为所述检测电压电路的输出端，所述第一NMOS晶体管的源极接地，所述第一PMOS晶体管的源极连接所述芯片的电源电压。

优选的是，所述的电压可调的上电掉电复位电路，所述反馈电路包括第三PMOS晶体；所述第三PMOS晶体管的栅极连接所述复位电路的输出端，所述第三PMOS晶体管的漏极连接所述检测电压电路的输出端，所述第三PMOS晶体管的源极连接所述芯片的电源电压。

优选的是，所述的电压可调的上电掉电复位电路，所述延迟缓冲电路包括第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第二PMOS晶体管和电容C0；所述第二NMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管的栅极相连并连接所述检测电压电路的输出端，所述第三NMOS晶体的栅极连接所述检测电压电路的输入端，所述第二NMOS晶体管的源极接地，所述第二NMOS晶体管的漏极连接所述第三NMOS晶体管的源极，所述第三NMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管的漏极相连，作为所述延迟缓冲电路的输出端，所述第二PMOS晶体管的源极连接所述芯片的电源电压，所述电容C0的两端分别连接所述芯片的电源电压和所述延迟缓冲电路的输出端。