[发明专利]一种增强电子铜箔剥离强度的处理工艺

权利要求书

1.一种增强电子铜箔剥离强度的处理工艺，将生箔电镀成的毛箔经过酸洗预处理后，依次通过粗化Ⅰ工序、固化Ⅰ工序、粗化Ⅱ工序、固化Ⅱ工序、粗化Ⅲ工序、固化Ⅲ工序、黑化工序、镀锌工序、防氧化工序、硅烷工序、烘干工序处理，其特征在于,步骤如下：

(1)、粗化Ⅰ工序：将生箔电镀成的毛箔，经酸洗预处理后，在温度25-35℃条件下，在含有硫酸150-230g/L、Cu²⁺7-14g/L、HCl0.005-0.02g/L，钼酸铵0.01-0.02g/L的粗化液中进行电镀，电镀一段电流密度为13-25A/dm²，电镀二段电流密度为2-6A/dm²；

(2)、固化Ⅰ工序：将经粗化Ⅰ工序处理的铜箔，在温度30-45℃条件下，在含有硫酸80-140g/L、Cu²⁺45-60g/L的固化液中进行电镀，电镀一段电流密度12-22A/dm²，电镀二段电流密度12-22A/dm²；

(3)、粗化Ⅱ工序：将经固化Ⅰ工序处理的铜箔，在温度25-35℃条件下，在含有硫酸150-230g/L、Cu²⁺7-14g/L、HCl 0.005-0.02g/L，钼酸铵0.01-0.02g/L的粗化液中进行电镀，电镀一段电流密度13-30A/dm²，电镀二段电流密度2-6A/dm²；

(4)、固化Ⅱ工序：将经粗化Ⅱ工序处理的铜箔，在温度30-45℃条件下，在含有硫酸80-140g/L、Cu²⁺45-60g/L的固化液中进行电镀，电镀一段电流密度12-22A/dm²，电镀二段电流密度12-22A/dm²；

(5)、粗化Ⅲ工序：将经固化Ⅱ工序处理的铜箔，在温度25-35℃条件下，在含有硫酸150-230g/L、Cu²⁺7-14g/L、HCl 0.005-0.02g/L，钼酸铵0.01-0.02g/L的粗化液中进行电镀，电镀一段电流密度13-30A/dm²，电镀二段电流密度2-6A/dm²；

(6)、固化Ⅲ工序：将经粗化Ⅲ工序处理的铜箔，在温度30-45℃条件下，在含有硫酸80-140g/L、Cu²⁺45-60g/L的固化液中进行电镀，电镀一段电流密度12-22A/dm²，电镀二段电流密度12-22A/dm²。

2.根据权利要求1所述的一种增强电子铜箔剥离强度的处理工艺，其特征在于：粗化Ⅰ工序/粗化Ⅱ工序/粗化Ⅲ工序：在温度30℃条件下，在含有硫酸190g/L、Cu²⁺9g/L、HCl 0.005g/L,钼酸铵0.01g/L的粗化液中进行电镀，电镀一段电流密度14A/dm²，电镀二段电流密度3A/dm²。

3.根据权利要求1或2所述的一种增强电子铜箔剥离强度的处理工艺，其特征在于：固化Ⅰ工序/固化Ⅱ工序/固化Ⅲ工序：在温度35℃条件下，在含有硫酸100g/L、Cu²⁺50g/L的固化液中进行电镀，电镀一段电流密度20A/dm²，电镀二段电流密度20A/dm²。

4.根据权利要求1所述的一种增强电子铜箔剥离强度的处理工艺，其特征在于：粗化Ⅰ工序/粗化Ⅱ工序/粗化Ⅲ工序：在温度30℃条件下，在含有硫酸195g/L、Cu²⁺9.5g/L、HCl 0.006g/L、钼酸铵0.012g/L的粗化液中进行电镀，电镀一段电流密度16A/dm²，电镀二段电流密度3.5A/dm²。

5.根据权利要求1或4所述的一种增强电子铜箔剥离强度的处理工艺，其特征在于：固化Ⅰ工序/固化Ⅱ工序/固化Ⅲ工序：在温度35℃条件下，在含有硫酸105g/L、Cu²⁺52.5g/L的固化液中进行电镀，电镀一段电流密度18A/dm²，电镀二段电流密度18A/dm²。