[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

第1导电型的第1半导体区域；

第1电极，设置在所述第1半导体区域之下；

第2导电型的第2半导体区域，选择性地设置在所述第1半导体区域之上；

第1导电型的第3半导体区域，选择性地设置在所述第2半导体区域之上；

第2电极，隔着第1绝缘膜而设置在所述第1半导体区域、所述第2半导体区域及所述第3半导体区域；

第1整流元件，隔着第2绝缘膜设置在未配置所述第2半导体区域、所述第3半导体区域、所述第1绝缘膜及所述第2电极的所述第1半导体区域之上，并具有交替地排列有第4半导体区域、及导电型与所述第4半导体区域不同的第5半导体区域的构造；

第2整流元件，隔着所述第2绝缘膜设置在未配置所述第2半导体区域、所述第3半导体区域、所述第1绝缘膜及所述第2电极并且未配置所述第1整流元件的所述第1半导体区域之上，并具有交替地排列有第6半导体区域、及导电型与所述第6半导体区域不同的第7半导体区域的构造；

第3电极，设置在所述第1半导体区域的上侧，与所述第3半导体区域电连接，并与所述第1整流元件的所述第4半导体区域中的任一个第4半导体区域及所述第2整流元件的所述第6半导体区域的任一个第6半导体区域电连接；以及

第4电极，设置在所述第1半导体区域的上侧，与所述第2电极电连接，包围所述第3电极，与所述第1整流元件的所述任一个第4半导体区域以外的所述第4半导体区域、及所述第2整流元件的所述任一个第6半导体区域以外的所述第6半导体区域电连接。

2.如权利要求1所述的半导体装置，

所述第4半导体区域及所述第6半导体区域的导电型是第1导电型，所述第5半导体区域及所述第7半导体区域的导电型是第2导电型。

3.如权利要求1所述的半导体装置，

所述第4半导体区域及所述第6半导体区域的导电型是第2导电型，所述第5半导体区域及所述第7半导体区域的导电型是第1导电型。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，

所述第1整流元件与配置有所述第2半导体区域、所述第3半导体区域、所述第1绝缘膜及所述第2电极的区域并列配置。

5.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，

所述第2整流元件沿着配置有所述第2半导体区域、所述第3半导体区域、所述第1绝缘膜及所述第2电极的区域配置。

6.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，

所述第4半导体区域及所述第5半导体区域配置成环状。

7.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，

所述第6半导体区域及所述第7半导体区域沿着配置有所述第2半导体区域、所述第3半导体区域、所述第1绝缘膜及所述第2电极的区域配置。

8.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，

配置有所述第2半导体区域、所述第3半导体区域、所述第1绝缘膜及所述第2电极的区域具有至少一个角部，

所述第2整流元件具有沿着所述角部弯曲的区域。