[发明专利]基于MoS2和Ag修饰硅纳米线阵列光电化学析氢电极及其应用在审
申请号: | 201510075781.5 | 申请日: | 2015-02-12 |
公开(公告)号: | CN104630821A | 公开(公告)日: | 2015-05-20 |
发明(设计)人: | 乔雷;李艳虹;周明;廖明佳;肖鹏;张云怀;张胜涛;陈刚才;张晟;周志恩 | 申请(专利权)人: | 重庆市环境科学研究院 |
主分类号: | C25B11/02 | 分类号: | C25B11/02;C25B11/04;C25B1/04 |
代理公司: | 北京同恒源知识产权代理有限公司11275 | 代理人: | 赵荣之 |
地址: | 401147重庆*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 mos2 ag 修饰 纳米 阵列 光电 化学 电极 及其 应用 | ||
1.基于MoS2和Ag修饰硅纳米线阵列光电化学析氢电极,其特征在于:包括导电基底和复合在导电基底上的硅纳米线阵列,所述硅纳米线阵列表面复合有Ag纳米颗粒团簇和MoS2纳米颗粒团簇,所述Ag纳米颗粒团簇位于硅纳米线阵列和MoS2纳米颗粒团簇之间。
2.根据权利要求1所述基于MoS2和Ag修饰硅纳米线阵列光电化学析氢电极,其特征在于:所述硅纳米线阵列中单个硅纳米线的直径为200-600纳米,长度为5-10微米,各纳米线的线间距为0.8-1.2微米。
3.根据权利要求1所述基于MoS2和Ag修饰硅纳米线阵列光电化学析氢电极,其特征在于:所述MoS2纳米颗粒团簇的粒径为200-500纳米,其总表面积相当于硅纳米线阵列表面积的40%-50%。
4.根据权利要求1所述基于MoS2和Ag修饰硅纳米线阵列光电化学析氢电极,其特征在于:所述Ag纳米颗粒的粒径为10-50nm,其表面积为硅纳米线阵列表面积的5%-10%。
5.根据权利要求1所述基于MoS2和Ag修饰硅纳米线阵列光电化学析氢电极,其特征在于:所述导电基底为铜片,所述纳米线阵列通过导电银胶与铜基片垂直粘合,所述铜基片外还包覆有环氧树脂封闭绝缘层。
6.根据权利要求1-5任意一项所述基于MoS2和Ag修饰硅纳米线阵列光电化学析氢电极,其特征在于:所述硅纳米线阵列采用两步金属辅助催化无电刻蚀法制备,所述MoS2纳米颗粒团簇采用热分解技术复合于Ag纳米颗粒团簇修饰的硅纳米线阵列表面。
7.使用权利要求1-6任意一项所述基于MoS2和Ag修饰硅纳米线阵列光电化学析氢电极的两电极或三电极体系。
8.根据权利了要求7所述两电极或三电极体系,其特征在于:所述基于MoS2和Ag修饰硅纳米线阵列光电化学析氢电极为工作电极,铂片为对电极。
9.权利要求1~7任一项所述MoS2和Ag修饰硅纳米线阵列光电化学析氢电极在光电化学产氢中的应用。
10.权利要求7或8所述两电极或三电极体系在光电化学产氢中的应用。
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