[发明专利]集成电路有效
| 申请号： | 201510075969.X | 申请日： | 2012-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN104733432B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | R-H·金 | 申请（专利权）人： | 泰斯拉先进科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 | ||
1.一种集成电路，具有一个或多个多层互连于其中，包括：
多个第一阶层导电件MN、至少一个通孔导电件VN+1/N以及至少一个第二阶层导电件MN+1，该至少一个通孔导电件VN+1/N在堆叠方向上将该至少一个第二阶层导电件MN+1耦接至该多个第一阶层导电件MN中的一个，以及在该通孔导电件VN+1/N中有侧向阶梯；
其中，该多个第一阶层导电件MN中的每个第一阶层导电件MN在垂直于该堆叠方向的平面上延伸；
其中，该至少一个第二阶层导电件MN+1中的每个第二阶层导电件MN+1在垂直于该堆叠方向的另一平面上延伸；
其中，该至少一个通孔导电件VN+1/N的上部分与该至少一个第二阶层导电件MN+1是自我对准的，而该至少一个通孔导电件VN+1/N的下部分与该多个第一阶层导电件MN中的与该至少一个第二阶层导电件MN+1耦接的第一阶层导电件MN是自我对准的，并且其中，在该侧向阶梯处，该上部分与该下部分相会；以及
其中，该至少一个通孔导电件VN+1/N的该上部分在第一方向上具有第一侧向宽度，该第一侧向宽度是基于覆于上方的该至少一个第二阶层导电件MN+1的在该第一方向上的侧向宽度而定；以及
其中，该至少一个通孔导电件VN+1/N的该下部分在第二方向上具有第二侧向宽度，该第二侧向宽度是基于位于下方的该多个第一阶层导电件MN中的与该至少一个第二阶层导电件MN+1耦接的第一阶层导电件MN的在该第二方向上的侧向宽度而定。
2.一种集成电路，具有一个或多个多层互连于其中，包括：
多个第一阶层导电件MN、至少一个通孔导电件VN+1/N以及至少一个第二阶层导电件MN+1，该至少一个通孔导电件VN+1/N在堆叠方向上将该至少一个第二阶层导电件MN+1耦接至该多个第一阶层导电件MN中的一个，以及在该通孔导电件VN+1/N中有侧向阶梯；
其中，该多个第一阶层导电件MN中的每个第一阶层导电件MN在垂直于该堆叠方向的平面上延伸；
其中，该至少一个第二阶层导电件MN+1中的每个第二阶层导电件MN+1在垂直于该堆叠方向的另一平面上延伸；
其中，该至少一个通孔导电件VN+1/N的上部分与该至少一个第二阶层导电件MN+1是自我对准的，而该至少一个通孔导电件VN+1/N的下部分与该多个第一阶层导电件MN中的与该至少一个第二阶层导电件MN+1耦接的第一阶层导电件MN是自我对准的，并且其中，在该侧向阶梯处，该上部分与该下部分相会；以及
其中，该至少一个通孔导电件VN+1/N的该上部分在第一方向上具有第一侧向宽度，该第一侧向宽度与覆于上方的该至少一个第二阶层导电件MN+1的在该第一方向上的侧向宽度相同；以及
其中，该至少一个通孔导电件VN+1/N的该下部分在第二方向上具有第二侧向宽度，该第二侧向宽度与位于下方的该多个第一阶层导电件MN中的与该至少一个第二阶层导电件MN+1耦接的第一阶层导电件MN的在该第二方向上的侧向宽度相同。
3.一种集成电路，具有一个或多个多层互连于其中，包括：
多个第一阶层导电件MN、至少一个通孔导电件VN+1/N以及至少一个第二阶层导电件MN+1，该至少一个通孔导电件VN+1/N在堆叠方向上将该至少一个第二阶层导电件MN+1耦接至该多个第一阶层导电件MN中的一个，以及在该通孔导电件VN+1/N中有侧向阶梯；
其中，该多个第一阶层导电件MN中的每个第一阶层导电件MN在垂直于该堆叠方向的平面上延伸；
其中，该至少一个第二阶层导电件MN+1中的每个第二阶层导电件MN+1在垂直于该堆叠方向的另一平面上延伸；
其中，该至少一个通孔导电件VN+1/N的上部分与该至少一个第二阶层导电件MN+1是自我对准的，而该至少一个通孔导电件VN+1/N的下部分与该多个第一阶层导电件MN中的与该至少一个第二阶层导电件MN+1耦接的第一阶层导电件MN是自我对准的，并且其中，在该侧向阶梯处，该上部分与该下部分相会；以及
其中，该至少一个通孔导电件VN+1/N的该上部分在第一方向上具有第一侧向宽度，该第一侧向宽度是基于覆于上方的该至少一个第二阶层导电件MN+1的在该第一方向上的侧向宽度而定；
其中，该至少一个通孔导电件VN+1/N的该下部分在第二方向上具有第二侧向宽度，该第二侧向宽度是基于位于下方的该多个第一阶层导电件MN中的与该至少一个第二阶层导电件MN+1耦接的第一阶层导电件MN的在该第二方向上的侧向宽度而定，
其中，该多个第一阶层导电件MN中的与该至少一个通孔导电件VN+1/N的该下部分耦接的第一阶层导电件MN在第一电介质的沟槽中形成凹陷，
其中，该至少一个通孔导电件VN+1/N的该下部分在与该多个第一阶层导电件MN中的与该至少一个通孔导电件VN+1/N的该下部分耦接的第一阶层导电件MN的延伸轴正交且与该堆叠方向正交的方向上填充位于该至少一个通孔导电件VN+1/N所在处的该凹陷，
其中，该凹陷中邻近于该至少一个通孔导电件VN+1/N的该下部分的部分以不同于该第一电介质的第二电介质填充。
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