[发明专利]阵列基板制造方法、阵列基板和显示装置

说明书

本发明是关于一种阵列基板制造方法、阵列基板和显示装置，属于显示设备领域。所述方法包括：在基板上形成厚度为d的金属图案；在形成金属图案的基板上形成绝缘膜层，绝缘膜层与金属图案存在交叠区域，绝缘膜层的交叠区域与绝缘膜层的其它区域的高度差的绝对值小于d；在形成绝缘膜层的基板上形成半导体层以及源漏金属层图案。本发明通过使绝缘膜层的交叠区域与绝缘膜层的其它区域的高度差的绝对值小于d，继而在形成绝缘膜层的基板上形成的其他图案的起伏相应减小，达到了能够减小绝缘膜层上形成的走线的断线率，提高产品良率的效果。

技术领域

本发明涉及显示设备领域，特别涉及一种阵列基板制造方法、阵列基板和显示装置。

背景技术

阵列基板是显示装置的重要组成部分，通常包括基板以及基板上的栅线、公共电极走线、绝缘层、半导体层和源漏金属层(源漏极和数据线)等。

现有技术在制造阵列基板时，首先在基板上形成金属图案，如栅线的图案，继而在形成金属图案的基板上涂敷绝缘层，然后在涂敷绝缘层的基板上形成半导体层以及源漏金属层的图案。其中，绝缘膜层存在绝缘膜层和金属图案的交叠区域(该交叠区域指金属图案在绝缘膜层上的投影区域)，该绝缘膜层上的绝缘膜层和金属图案的交叠区域也称为绝缘膜层的交叠区域，该交叠区域在绝缘膜层上都形成有凸起，继而形成于绝缘膜层上的其他图案(源漏极，数据线) 也会产生相应的凸起(源漏极的凸起，数据线的凸起)。

上述方法在金属图案较厚时，会导致形成于绝缘膜层的交叠区域上的其他图案(如源漏极的图案)的凸起程度较高，其他图案容易因此而造成断线，影响产品良率。

发明内容

为了解决相关技术中在金属图案较厚时，会导致形成于绝缘膜层的交叠区域的其他图案的凸起程度较高，其他图案容易因此而造成断线，影响产品良率，本发明提供了一种阵列基板制造方法、阵列基板和显示装置。所述技术方案如下：

根据本发明的第一方面，提供一种阵列基板制造方法，该方法包括：

在基板上形成厚度为d的金属图案；

在形成金属图案的基板上形成绝缘膜层，绝缘膜层与金属图案存在交叠区域，绝缘膜层的交叠区域与绝缘膜层的其它区域的高度差的绝对值小于d；

在形成绝缘膜层的基板上形成半导体层以及源漏金属层图案。

可选的，在基板上形成厚度为d的金属图案，包括：

在基板上形成沟槽；

在沟槽中形成厚度为d的金属图案。

可选的，在形成金属图案的基板上形成绝缘膜层，包括：

在形成金属图案的基板上形成初始绝缘膜层，初始绝缘膜层与金属图案的交叠区域在初始绝缘膜层上凸起；

对初始绝缘膜层的交叠区域进行减厚处理得到绝缘膜层，绝缘膜层的交叠区域与绝缘膜层的其它区域的高度差的绝对值小于d。

可选的，对交叠区域进行减厚处理，包括：

通过一次构图工艺对初始绝缘膜层的交叠区域处理，使处理后的初始绝缘膜层的交叠区域与初始绝缘膜层的其它区域的高度差的绝对值小于d。

可选的，在形成金属图案的基板上形成绝缘膜层，包括：

在形成金属图案的基板上形成有机膜层，有机膜层与金属图案存在交叠区域，有机膜层的交叠区域在有机膜层上凸起；

对有机膜层的交叠区域进行减厚处理，使处理后的有机膜层的交叠区域与有机膜层的其它区域的高度差的绝对值小于d；

在形成有机膜层的基板上形成绝缘膜层；

或，