[发明专利]一种低辐射薄膜有效
| 申请号： | 201510077005.9 | 申请日： | 2015-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN104608434B | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 王鲜;祁冬;龚韦;龚荣洲 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学;武汉伊美斯波谱技术有限公司 |
| 主分类号： | B32B9/04 | 分类号： | B32B9/04;B32B15/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心42201 | 代理人： | 廖盈春 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 辐射 薄膜 | ||
【权利要求书】：
1.一种低辐射薄膜，其特征在于，所述薄膜包括基底、覆盖于基底之上的单银层和覆盖于单银层之上的周期性多层膜；
所述单银层为3层结构，中间一层为Ag膜，Ag膜上下两表面分别紧贴一层TiO2保护层；所述TiO2保护层厚度在10nm～40nm；所述TiO2保护层用于提高Ag膜与其他膜层的附着力，并具有防止Ag膜被氧化腐蚀的作用和调节膜系光学性能的作用；
所述周期性多层膜为10层结构，是5个TiO2/SiO2结型结构的叠加，所述TiO2/SiO2结型结构为一层TiO2膜上覆盖一层SiO2膜形成的结构；
所述周期性多层膜的中心波长λ0为900nm～1050nm；所述周期性多层膜中TiO2膜的厚度为100nm～117nm；所述周期性多层膜中SiO2膜的厚度为155nm～181nm。
2.如权利要求1所述的低辐射薄膜，其特征在于，所述薄膜厚度为1325nm～1575.8nm。
3.如权利要求1所述的低辐射薄膜，其特征在于，所述单银层中Ag膜厚度在9.2nm～9.8nm或10nm～12nm。
4.如权利要求1所述的低辐射薄膜，其特征在于，所述周期性多层膜厚度为1275nm～1490nm。
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