[发明专利]一种功率半导体器件的散热器装配工艺有效
申请号: | 201510079882.X | 申请日: | 2015-02-13 |
公开(公告)号: | CN104658921A | 公开(公告)日: | 2015-05-27 |
发明(设计)人: | 鹿明星;罗劼;蔡海军 | 申请(专利权)人: | 无锡上能新能源有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/50 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 路凯;胡彬 |
地址: | 214174 江苏省无锡市惠山*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功率 半导体器件 散热器 装配 工艺 | ||
1.一种功率半导体器件的散热器装配工艺,其特征在于,包括:
S1、将功率半导体器件固定在导热基板上;
S2、将单板和固定有功率半导体器件的所述导热基板整体压接在散热器上。
2.根据权利要求1所述的功率半导体器件的散热器装配工艺,其特征在于,所述功率半导体器件与导热基板之间、导热基板与散热器之间均涂抹导热硅脂。
3.根据权利要求1所述的功率半导体器件的散热器装配工艺,其特征在于,所述功率半导体器件与导热基板之间设置有用以绝缘的陶瓷基片或绝缘膜。
4.根据权利要求1至3之一所述的功率半导体器件的散热器装配工艺,其特征在于,所述导热基板选用但不限于铝、铜任一材料的基板。
5.根据权利要求4所述的功率半导体器件的散热器装配工艺,其特征在于,所述导热基板的形状根据单板实际情况制作,导热基板的厚度与其面积相适应。
6.根据权利要求5所述的功率半导体器件的散热器装配工艺,其特征在于,所述导热基板选用方形铝基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造