[发明专利]采用深沟槽隔离的图像传感器及其制作方法

权利要求书

1.一种采用深沟槽隔离的图像传感器的制作方法,其特征在于,至少包括步骤:

提供衬底；

于所述衬底上形成隔离像素单元的隔离结构；

采用选择性外延的方式形成覆盖隔离结构的外延单晶硅层；

在所述外延单晶硅层中形成图像传感器的部分器件；

其中，形成图像传感器的部分器件之前，通过高于800摄氏度的高温过程修复隔离结构的表面；

其中，形成隔离结构的步骤包括：在衬底上形成若干深沟槽，填充介质和导电材质至深沟槽中以形成隔离结构，所述衬底包括基底层和外延层，对基底层和隔离结构进行预掺杂，以便通过自掺杂使得隔离结构包围区域的硅具有由界面向硅中心方向的浓度梯度分布的掺杂层；

或者，形成隔离结构的步骤包括：在衬底上形成介质层，刻蚀介质层以形成若干凸起的隔离结构，对衬底和隔离结构进行预掺杂，以便通过自掺杂使得隔离结构包围区域的硅具有由界面向硅中心方向的浓度梯度分布的掺杂层。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包括：于远离所述外延单晶硅层的一侧减薄衬底并停止于隔离结构表面。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对于通过在衬底上形成若干深沟槽，填充介质和导电材质至深沟槽中以形成的隔离结构，所述制作方法还包括：将隔离结构中的导电材质连接至预设电压。

4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，对于通过在衬底上形成介质层，刻蚀介质层以形成若干凸起的隔离结构，所述制作方法还包括：去除隔离结构中的介质层以形成深沟槽，填充介质和导电材质至深沟槽中，将隔离结构中的导电材质连接至预设电压。

5.一种根据权利要求1-4任一项所述的制作方法获得的图像传感器，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的若干隔离结构，所述隔离结构隔离像素单元，所述隔离结构具有经高于800摄氏度的高温过程修复的表面；

覆盖隔离结构的外延单晶硅层；

位于所述外延单晶硅层中的部分图像传感器器件；

其中，隔离结构包围区域的硅具有由界面向硅中心方向的浓度梯度分布的掺杂层。