[发明专利]用于改进晶片均匀性的装置和方法

权利要求书

1.一种半导体处理工具的气流歧管，该气流歧管包括：

歧管主体；和

多个歧管气流路径，其从所述歧管主体的第一侧延伸到所述歧管主体的第二侧，其中：

所述歧管主体适于安装在半导体处理工具中，使得气体流过所述歧管主体从所述第一侧到所述第二侧，以及

通过将喷嘴插入到所述歧管气流路径中的相应的一个中，所述歧管气流路径能从所述歧管主体的所述第一侧单独调节以改变通过所述歧管主体的气流特性，所述喷嘴包括，

喷嘴主体；和

所述喷嘴主体内的孔，处理气流能穿过该孔。

2.根据权利要求1所述的气流歧管，其中所述歧管气流路径在所述歧管主体的内部。

3.根据权利要求1所述的气流歧管，其中具有四个歧管气流路径。

4.根据权利要求1所述的气流歧管，其中，通过从歧管气流路径内去除第一喷嘴并插入第二喷嘴到所述歧管气流路径内来改变所述气流特性。

5.根据权利要求4所述的气流歧管，其中，所述第一喷嘴的所述孔允许的最大气流速率不同于由所述第二喷嘴的所述孔所允许的最大气流速率。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的气流歧管，其还包括喷射器，其中，所述喷射器包括：

喷射器主体；以及

多个喷射器气流路径，其从所述喷射器主体的第一侧延伸到所述喷射器主体的第二侧，使得每个喷射器气流路径与相应的歧管气流路径流体地连接。

7.根据权利要求6所述的气流歧管，每个喷射器气流路径包括：

入口；和

出口，其中所述入口和所述出口流体地连接，并且所述入口和所述出口形成介于30度和60度之间的角度。

8.根据权利要求1-5中任一项所述的气流歧管，其还包括喷头，其中所述喷头包括：

喷头主体；和

喷头面板，其包括多个孔，其中每个孔与歧管气流路径流体地连接。

9.根据权利要求1-5中任一项所述的气流歧管，其中所述歧管主体由铝制成。

10.一种半导体晶片处理工具，其包括：

半导体晶片处理室，所述半导体晶片处理室包括真空可密封室内部；

在所述真空可密封室内部的外部的半导体处理工具的气流歧管，该气流歧管包括：

歧管主体；和

多个歧管气流路径，其从所述歧管主体的第一侧延伸到所述歧管主体的第二侧，其中：

所述歧管主体安装在所述半导体处理工具中，使得气体流过所述歧管主体从所述第一侧到所述第二侧，

通过将喷嘴插入到所述歧管气流路径中的相应的一个中，所述歧管气流路径能从所述真空可密封室内部的外部单独调节以改变通过所述歧管主体的气流特性，所述喷嘴包括，

喷嘴主体；和

所述喷嘴主体内的孔，处理气流能穿过该孔，以及

处理气体分配装置，其包括：

所述气体分配装置的第一侧，其中所述气体分配装置的该第一侧与从所述歧管主体的所述第二侧出来的所述气流路径流体地连接，和

所述气体分配装置的第二侧，其中所述气体分配装置的该第二侧在所述真空密封室内部内，并且包括用于排放处理气体到所述真空密封室内部内的特征。

11.根据权利要求10所述的半导体晶片处理工具，其还包括处理气体源，其中所述处理气体源与所述多个歧管气流路径流体地连接，并且包括用于提供处理气体到所述歧管气流路径的特征。

12.根据权利要求10所述的半导体晶片处理工具，其还包括处理气体进气装置，该处理气体进气装置包括：

进气装置主体；

进气装置入口，其中，所述进气装置入口接收处理气体；以及

充气室，该充气室流体地连接到所述进气装置入口和所述歧管气流路径，其中，所述充气室包括用于提供处理气体到所述歧管气流路径的特征。

13.根据权利要求10-12中任一项所述的半导体晶片处理工具，其中：

所述真空密封室内部包括用于支撑半导体晶片的特征，该半导体晶片包括多个晶片区域；以及

所述处理气体分配装置的所述第二侧包括用于从多个分配区域排放处理气体的特征，其中，来自各分配区域的处理气体是瞄准晶片区域的。