[发明专利]半导体微波炉及用于微波炉的半导体功率源

权利要求书

1.一种用于微波炉的半导体功率源，其特征在于，包括：

压控振荡器电路，所述压控振荡器电路包括微控制器MCU、与所述MCU相连的数字模拟转换器、与所述数字模拟转换器相连的压控振荡器芯片，所述MCU通过控制所述数字模拟转换器的输出电压以调节所述压控振荡器芯片输出的微波信号的频率；以及

串联的多级功率放大电路，所述串联的多级功率放大电路与所述压控振荡器电路相连，所述串联的多级功率放大电路用于对所述压控振荡器电路输出的微波信号进行功率放大；

所述数字模拟转换器的输出端与所述压控振荡器芯片的第二引脚相连，所述数字模拟转换器的输出端与所述压控振荡器芯片的第二引脚之间还对地并联有第一至第三电容，所述压控振荡器芯片的第一引脚对地连接有第四电容，所述压控振荡器芯片的第三引脚接地，且所述压控振荡器芯片的第二引脚和第三引脚之间并联有第五电容，所述压控振荡器芯片的第四引脚连接芯片电源，所述压控振荡器芯片的第五引脚和第六引脚相连后与所述芯片电源相连，所述压控振荡器芯片的第七引脚通过第六电容输出所述微波信号，所述压控振荡器芯片的第八引脚接地。

2.如权利要求1所述的用于微波炉的半导体功率源，其特征在于，所述数字模拟转换器通过其输出端输出直流模拟电压，且所述直流模拟电压的幅度在所述MCU的控制下可调。

3.如权利要求2所述的用于微波炉的半导体功率源，其特征在于，所述直流模拟电压的变化范围为0.4V-2.4V。

4.如权利要求1所述的用于微波炉的半导体功率源，其特征在于，所述压控振荡器电路还包括：

电位器，所述电位器的一端与所述数字模拟转换器的输出端相连，所述电位器的另一端接地，所述电位器的调节端与所述压控振荡器芯片的第二引脚相连，其中，通过调节所述电位器的旋钮可调节输入到所述压控振荡器芯片的第二引脚的电压。

5.如权利要求4所述的用于微波炉的半导体功率源，其特征在于，所述压控振荡器电路还包括：

温补二极管，所述温补二极管的正极端与所述数字模拟转换器的输出端相连，所述温补二极管的负极端与所述电位器的一端相连。

6.如权利要求5所述的用于微波炉的半导体功率源，其特征在于，还包括：

温度传感器电路，所述温度传感器电路与所述MCU相连，所述温度传感器电路用于检测所述压控振荡器芯片的温度，其中，所述MCU根据所述压控振荡器芯片的温度控制所述数字模拟转换器的输出电压。

7.如权利要求1-6中任一项所述的用于微波炉的半导体功率源，其特征在于，所述微波信号的频率变化范围为2400MHz-2500MHz，所述微波信号的功率变化范围为0.3mW-1mW。

8.一种半导体微波炉，其特征在于，包括：

腔体；

如权利要求1-7中任一项所述的用于微波炉的半导体功率源；以及

微波馈入装置，所述微波馈入装置与所述半导体功率源相连，所述微波馈入装置用于将所述半导体功率源产生的微波信号馈入至所述腔体中。

9.如权利要求8所述的半导体微波炉，其特征在于，所述微波馈入装置为天线或探针。