[发明专利]半导体装置及用于驱动半导体装置的方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一线；

第二线；

第三线；

在所述第一线和所述第二线之间串联连接的第一存储器单元和第二存储器单元；

第一电路，被配置为选择并输出多个写入电位中的任意至所述第三线；以及

第二电路，被配置为将所述第二线的电位与多个参考电位作比较以读出数据，

其中，所述第一存储器单元和所述第二存储器单元中的每一个都包括：

包含第一栅极、第一源极和第一漏极的第一晶体管；

包含第二栅极、第二源极和第二漏极的第二晶体管；以及

包含第三栅极、第三源极和第三漏极的第三晶体管，

其中，所述第二晶体管包含包括氧化物半导体的沟道形成区，且

其中，所述第一栅极与所述第二源极和所述第二漏极中的一个彼此电连接，

其中，所述第一线、所述第一源极和所述第三源极彼此电连接，

其中，所述第二线、所述第一漏极和所述第三漏极彼此电连接，且

其中，所述第三线与所述第二源极和所述第二漏极中的另一个彼此电连接。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括第三电路，该第三电路被配置为产生所述多个写入电位和所述多个参考电位并向所述第一电路和所述第二电路提供所述多个写入电位和所述多个参考电位。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一存储器单元和所述第二存储器单元中的每一个还包括电容器，且

其中，所述电容器电连接至所述第一栅极以及所述第二源极和所述第二漏极中的一个。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括被提供有地址信号的第四电路，

其中，所述第四电路电连接至所述第二栅极和所述第三栅极。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括：

第四线；

第五线；

包含第四栅极的第四晶体管；以及

包含第五栅极的第五晶体管，

其中，所述第四栅极电连接至所述第四线，

其中，所述第五栅极电连接至所述第五线，

其中，所述第一线通过所述第五晶体管电连接至所述第一源极和所述第三源极，且

其中，所述第二线通过所述第四晶体管电连接至所述第一漏极和所述第三漏极。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一晶体管和所述第三晶体管中的每一个都包含沟道形成区，该沟道形成区包括所述氧化物半导体之外的半导体材料。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一晶体管和所述第三晶体管中的每一个都包含包括硅的沟道形成区。

8.一种半导体装置，包括：

第一线；

第二线；

第三线；

在所述第一线和所述第二线之间串联连接的第一存储器单元和第二存储器单元；

第一电路，被配置为选择并输出多个写入电位中的任意至所述第三线；

第二电路，被配置为检测所述第一线和所述第二线之间的电导以读出数据；以及

第三电路，配置为被提供有多个参考电位并选择且输出所述多个参考电位中的任意，

其中，所述第一存储器单元和所述第二存储器单元中的每一个都包括：

具有第一栅极、第一源极和第一漏极的第一晶体管；

具有第二栅极、第二源极和第二漏极的第二晶体管；以及

包括一对电极的电容器，

其中，所述第二晶体管包含包括氧化物半导体的沟道形成区，且

其中，所述第一栅极、所述第二源极和所述第二漏极中的一个、以及所述电容器的所述一对电极中的一个彼此电连接，

其中，所述第一线和所述第一源极彼此电连接，

其中，所述第二线和所述第一漏极彼此电连接，

其中，所述第三线与所述第二源极和所述第二漏极中的另一个彼此电连接，且

其中，所述第二栅极和所述电容器的所述一对电极中的另一个都电连接至所述第三电路。