[发明专利]半导体刻蚀装置在审
| 申请号： | 201510081763.8 | 申请日： | 2015-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN105990082A | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 贾照伟;王坚;王晖 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张振军 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 刻蚀 装置 | ||
【权利要求书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于盛美半导体设备(上海)有限公司，未经盛美半导体设备(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510081763.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体器件及其制造方法、电子装置
- 下一篇：等离子体处理装置及其制作方法
