[发明专利]光电传感器有效
申请号: | 201510081813.2 | 申请日: | 2015-02-15 |
公开(公告)号: | CN104913795B | 公开(公告)日: | 2017-11-28 |
发明(设计)人: | 宫田毅;大槻一也;中嶋淳;宫下诚司;今井清司 | 申请(专利权)人: | 欧姆龙株式会社 |
主分类号: | G01D5/26 | 分类号: | G01D5/26 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 董雅会,向勇 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 传感器 | ||
技术领域
本发明涉及一种光电传感器。
背景技术
在现有的光电传感器中披露了如下的内容,即在封装投光元件、受光元件的树脂中封入10~30重量百分比的光扩散剂,实现光电传感器的功能(参照专利文献1)。
另外,专利文献2披露了一种光电传感器,该光电传感器除了上述的投光元件、受光元件以外,还具有显示在受光元件与投光元件之间有无遮光物的动作显示灯。就动作显示灯而言,一般地,都是利用与处理受光元件和投光元件的集成电路相接近的发光元件来实现的。发光元件与集成电路一起由树脂封装。
专利文献1:JP特公昭60-129161号公报
专利文献2:JP特开平11-145505号公报
为了提高动作显示灯的视认性,发光元件的光越扩散越好。即,在封装发光元件的树脂中含有的扩散剂越多越好。但是,若来自投光元件的光扩散开来,则到达受光元件的光的光量就会下降。另外,若封装受光元件的树脂中混入过多的扩散剂,则受到本来想要检测的遮光物以外的干扰光的影响大。因此,在封装投光元件以及受光元件的树脂中最好不包含扩散剂。如这样,由于封装投光元件以及受光元件的第一树脂与封装动作显示灯的发光元件的第二树脂要求不同的性能,所以第一树脂与第二树脂一般为分别注射成形。但是,在此情况下需要2类树脂,成形工序变得很繁杂。
发明内容
因此,本发明的目的在于解决上述的问题,提供一种光电传感器,该光电传感器能够简单化投光元件、受光元件以及动作显示灯的发光元件的利用树脂的成形工序。
本发明的第一实施方式中的光电传感器具有投光元件、投光封装部、受光元件、受光封装部、电路部、电路封装部。投光封装部封装投光元件。受光封装部封装受光元件。电路部具有动作显示用的发光元件。电路封装部封装电路部。电路封装部在与发光元件相向的位置上具有动作显示部。投光封装部、受光封装部、电路封装部经由导电性的引线框连接。投光封装部、受光封装部、电路封装部由含有光扩散剂的同一材质的树脂形成。通过这样,能够1次进行投光元件、受光元件以及动作显示灯的发光元件的利用树脂的成形工序。因此,将成形工序简单化。
树脂的光透过率为20%以上且60%以下即可。通过这样,来自投光元件的光不会大量扩散,且,不会太大地受到本来想要检测的遮光物以外的干扰光的影响,来自投光元件的光入射到受光元件。因此,受光元件能够检测来自投光元件的光。同时,来自发光元件的光扩散到改善目视识别性的程度。因此,利用同一材质的树脂,达成封装投光元件以及受光元件的树脂所要求的性能和封装动作显示灯的发光元件的树脂所要求的性能。
优选引线框形成为一体。通过这样,将成形工序简单化。
优选受光封装部的对受光元件的受光面进行覆盖的树脂在与受光面相垂直的方向上的厚度,比电路封装部的对发光元件的发光面进行覆盖的树脂在与发光面相垂直的方向上的厚度小。通过这样,由受光元件接收的光与从发光元件发出的光相比不扩散。因此,利用含有相同的浓度的扩散剂的树脂,能够使来自投光元件的光大量地射入受光元件,并且改善来自发光元件的光的目视识别性。
优选受光封装部的与受光面相向的表面包括曲面。优选受光封装部的位于受光元件的受光面与曲面的顶点之间的树脂的厚度,比电路封装部的对发光元件的发光面进行覆盖的树脂在与发光面相垂直的方向上的厚度小。通过这样,由受光元件接收的光通过受光封装部聚集。
优选投光封装部的对投光元件的投光面进行覆盖的树脂在与投光面相垂直的方向上的厚度,比电路封装部的对发光元件的发光面进行覆盖的树脂在与发光面相垂直的方向上的树脂的厚度小。通过这样,由投光元件发出的光与从发光元件发出的光相比不扩散。因此,利用含有相同的浓度的扩散剂的树脂,使来自投光元件的光大量地入射到受光元件,并且能够改善来自发光元件的光的目视识别性。
优选投光封装部的与投光面相向的表面为曲面。优选投光封装部的位于投光元件的投光面与曲面的顶点之间的树脂的厚度,比电路封装部的对发光元件的发光面进行覆盖的树脂在与发光面相垂直的方向上的厚度小。通过这样,由投光元件发出的光通过投光封装部聚集。
附图说明
图1为一个实施方式的光电传感器的主视图。
图2为一个实施方式的光电传感器的俯视图。
图3为一个实施方式的光电传感器的分解立体图。
图4为用图2的剖面线IV-IV剖切时的光电传感器的剖视图。
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